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Official data from INPI

MATRIZ SEMICONDUTORA, DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E MÉTODO PARA FORMAR UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR

Em ExigênciaInvention PatentPCT · CN2022126585

Application data

Invention Patent MATRIZ SEMICONDUTORA, DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E MÉTODO PARA FORMAR UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR de CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. — IPC H01L 23/48
Invention Patent MATRIZ SEMICONDUTORA, DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E MÉTODO PARA FORMAR UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR de CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. — IPC H01L 23/48. Drawing published by the INPI in the Industrial Property Gazette.

Number

112024018185

Type

Invention Patent

Filing

10/21/2022

Publication

03/25/2025

PCT

CN2022126585

Progress at the INPI

Technical opinion to answer
  1. Filing10/21/22
  2. Publication03/25/25
  3. Examination
  4. Allowance
  5. Grant
  6. In force

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Latest action published by the INPI: 05/05/2026. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.

CN

Inventors

J. Z. (pessoa física)

CN

Technical data

IPC Classification

Priority claims

CN

202211090956.6 · 09/07/2022

Abstract

MATRIZ SEMICONDUTORA, DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E MÉTODO PARA FORMAR UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR. A presente revelação diz respeito a uma matriz semicondutora, um dispositivo semicondutor e um método de formação do mesmo. A matriz semicondutora compreende: um substrato que compreende uma face superior e uma face inferior; e uma pluralidade de pares de grupos de furos passantes de sinal mutuamente independentes, em que os grupos de furos passantes de sinal são dispostos em intervalos no substrato, dois grupos de furos passantes de sinal em cada par de grupos de furos passantes de sinal são distribuídos simetricamente em relação a um eixo geométrico na face superior do substrato e são distribuídos respectivamente em uma primeira área e uma segunda área nos dois lados do eixo geométrico, o eixo geométrico é paralelo a uma primeira direção ou a uma segunda direção, cada grupo de furos passantes de sinal compreende uma pluralidade de furos passantes de sinal dispostos em uma forma poligonal, quaisquer dois furos passantes de sinal em cada grupo de furos passantes de sinal são eletricamente isolados e cada furo passante de sinal penetra no substrato em uma terceira direção.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Parecer de pré-exame

#6.23

05/05/2026

RPI 2887

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

03/25/2025

RPI 2829

Alteração de dados cadastrais

#1.1

09/17/2024

RPI 2802

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