Parecer de pré-exame
#6.23
05/05/2026
RPI 2887
Application data
Number
112024018185Type
Filing
Publication
PCT
CN2022126585 The INPI issued a technical opinion on patentability. The applicant must respond for examination to continue.
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Applicants
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
CN
Inventors
J. Z. (pessoa física)
CN
IPC Classification
Priority claims
CN
202211090956.6 · 09/07/2022
Abstract
MATRIZ SEMICONDUTORA, DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E MÉTODO PARA FORMAR UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR. A presente revelação diz respeito a uma matriz semicondutora, um dispositivo semicondutor e um método de formação do mesmo. A matriz semicondutora compreende: um substrato que compreende uma face superior e uma face inferior; e uma pluralidade de pares de grupos de furos passantes de sinal mutuamente independentes, em que os grupos de furos passantes de sinal são dispostos em intervalos no substrato, dois grupos de furos passantes de sinal em cada par de grupos de furos passantes de sinal são distribuídos simetricamente em relação a um eixo geométrico na face superior do substrato e são distribuídos respectivamente em uma primeira área e uma segunda área nos dois lados do eixo geométrico, o eixo geométrico é paralelo a uma primeira direção ou a uma segunda direção, cada grupo de furos passantes de sinal compreende uma pluralidade de furos passantes de sinal dispostos em uma forma poligonal, quaisquer dois furos passantes de sinal em cada grupo de furos passantes de sinal são eletricamente isolados e cada furo passante de sinal penetra no substrato em uma terceira direção.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#6.23
05/05/2026
RPI 2887
#1.3
03/25/2025
RPI 2829
#1.1
09/17/2024
RPI 2802
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