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DISPOSITIVO DE ALTO DESEMPENHO COM CONTATOS LATERAIS DUPLOS

ArquivadaInvention PatentPCT · US2023060378

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Application data

Invention Patent DISPOSITIVO DE ALTO DESEMPENHO COM CONTATOS LATERAIS DUPLOS — IPC H01L 21/28. Drawing published by the INPI in the Industrial Property Gazette.

Number

112024017018

Type

Invention Patent

Filing

01/10/2023

Publication

12/10/2024

PCT

US2023060378

View on INPI

Progress at the INPI

Filing01/10/23
Publication12/10/24
Abandoned
Allowance
Grant
In force

The application was abandoned: examination was not requested within the 36 months following the 01/10/2023 filing, the deadline set by art. 33 of the Brazilian IP Act. The technology is in the public domain in Brazil.

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Latest action published by the INPI: 04/07/2026. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

Q. I. (pessoa física)

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Inventors

G. I. (pessoa física)

Q. L. (pessoa física)

S. K. (pessoa física)

Y. C. (pessoa física)

Technical data

IPC Classification

H01L 21/28 H01L 29/417 H01L 29/423 H01L 29/786

Priority claims

17/653,481 · 03/04/2022

Abstract

DISPOSITIVO DE ALTO DESEMPENHO COM CONTATOS LATERAIS DUPLOS. É divulgado um transístor de um dispositivo que tem contatos laterais duplos nos quais pelo menos um contato de dreno está no lado oposto da porta. Dessa forma, a resistência da porta pode ser reduzida sem aumentar as capacitâncias parasíticas entre a porta e o dreno.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI

#11.1.1

04/07/2026

RPI 2883

Arquivamento - Art. 33 da LPI

#11.1

01/21/2026

RPI 2872

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

12/10/2024

RPI 2814

Alteração de dados cadastrais

#1.1

08/27/2024

RPI 2799

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