Parecer de pré-exame
#6.23
07/28/2026
RPI 2899
Application data
Number
112023012414Type
Filing
Publication
PCT
CN2021090444 The INPI issued a technical opinion on patentability. The applicant must respond for examination to continue.
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Applicants
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
CN
Inventors
S. X. (pessoa física)
CN
IPC Classification
Abstract
CIRCUITO, SISTEMA, DISPOSITIVO DE MEMÓRIA E MÉTODO PARA OPERAR UM DISPOSITIVO DE MEMÓRIA COMPOSTO POR UM ARMAZENAMENTO TEMPORÁRIO DE PÁGINA. A presente invenção refere-se, em certos aspectos, a um circuito que inclui um armazenamento temporário de página composto por uma pluralidade de partes, um caminho de relógio acoplado à pluralidade de partes do armazenamento temporário de página e um módulo de definição de nível de relógio acoplado ao armazenamento temporário de página. Cada uma das partes é configurada para receber de modo sequencial um sinal de relógio e retornar de modo sequencial um sinal de retorno de relógio em resposta ao recebimento do sinal de relógio correspondente. O caminho do relógio é configurado para mesclar a pluralidade de sinais de retorno do relógio. O módulo de definição do nível do relógio é configurado para definir o nível inicial de um sinal de retorno do primeiro relógio da pluralidade de sinais de retorno do relógio com base em um número de ciclos em um sinal do primeiro relógio da pluralidade de sinais do relógio. O sinal de retorno do primeiro relógio corresponde ao sinal do primeiro relógio.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#6.23
07/28/2026
RPI 2899
#1.3
11/07/2023
RPI 2757
#1.1
07/04/2023
RPI 2739
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