TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO QUÂNTICO TOPOLÓGICO

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Abstract

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO QUÂNTICO TOPOLÓGICO.É divulgada neste documento uma estrutura compreendendo: um eletrodo de porta, uma camada dielétrica, e uma camada planar de um material topológico sendo separado do eletrodo de porta por pelo menos a camada dielétrica, e tendo uma interface de contato com a camada dielétrica para gerar uma interação spin-órbita de Rashba controlada por campo elétrico na aplicação de um campo elétrico à mesma, em que o material topológico exibe uma transição de fase topológica entre um estado trivial e um estado não trivial em uma intensidade de campo elétrico crítica na aplicação do campo elétrico, em que o eletrodo de porta é configurado para aplicar o campo elétrico através da camada planar em uma direção perpendicular a um plano da camada planar; e em que o material topológico exibe uma mudança na banda proibida, na presença do campo elétrico, tendo uma contribuição dependente de spin representada por uma constante de proporcionalidade aR e uma contribuição não dependente de spin representada por uma constante de proporcionalidade av; e em que aR > av/3.