COMPONENTE DE NITRETO DE GÁLIO E CIRCUITO DE ACIONAMENTO DO MESMO

IPC Classification

Abstract

COMPONENTE DE NITRETO DE GÁLIO E CIRCUITO DE ACIONAMENTO DO MESMO. Este pedido fornece um componente de nitreto de gálio e um circuito de acionamento do mesmo. O componente de nitreto de gálio inclui: um substrato; uma camada de buffer de nitreto de gálio GaN formada sobre o substrato; uma camada de barreira de nitreto de gálio de alumínio AlGaN formada sobre a camada de buffer de GaN; e uma fonte, um dreno e uma porta formados sobre a camada de barreira de AlGaN. A porta inclui uma camada de cobertura de nitreto de gálio P-dopado P-GaN formada sobre a camada de barreira de AlGaN, e um primeiro metal de porta e um segundo metal de porta formados sobre a camada de cobertura de P-GaN. Um contato de Schottky é formado entre o primeiro metal de porta e a camada de cobertura de P-GaN, e um contato ôhmico é formado entre o segundo metal de porta e a camada de cobertura de P-GaN. Na solução técnica fornecida neste pedido, o componente de nitreto de gálio é um componente normalmente desligado, e é propício para projeto de um circuito de acionamento. Além disso, o componente de nitreto de gálio tem uma estrutura de porta híbrida que inclui uma porta de Schottky e uma porta ôhmica, de maneira que não apenas correntes de fuga de porta em um processo de condução possam ser reduzidas para reduzir consumo de energia de acionamento, mas também uma grande quantidade de buracos de elétrons pode ser injetada na camada de barreira de AlGaN durante condução para otimizar uma resistência dinâmica, aperfeiçoando deste modo confiabilidade de componente.