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Official data from INPI

MATRIZES PARA UM CABEÇOTE DE IMPRESSÃO E MÉTODO PARA FORMAR UMA MATRIZ PARA UM CABEÇOTE DE IMPRESSÃO

ConcedidaInvention PatentPCT · US2019016783

Application data

Number

112021014824

Type

Invention Patent

Filing

02/06/2019

Publication

10/05/2021

PCT

US2019016783

Progress at the INPI

  1. Filing02/06/19
  2. Publication10/05/21
  3. Examination
  4. Allowance09/09/25
  5. Grant10/28/25
  6. In force02/06/39

The patent was granted on 10/28/2025 and is in force until 02/06/2039. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.

Protection valid until:02/06/2039

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Latest action published by the INPI: 10/28/2025. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.

US

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Inventors

A. F. (pessoa física)

US

J. G. (pessoa física)

US

M. C. (pessoa física)

US

Technical data

IPC Classification

Abstract

MATRIZ PARA CABEÇOTE DE IMPRESSÃO. Uma matriz para um cabeçote de impressão é descrita na presente invenção. A matriz inclui uma série de orifícios de alimentação de fluido dispostos em uma linha paralela a um eixo longitudinal da matriz, em que os orifícios de alimentação de fluido são formados através de um substrato da matriz. Uma série de atuadores fluídicos estão próximos aos orifícios de alimentação de fluido, para ejetar o fluido recebido dos orifícios de alimentação de fluido. Uma série de transistores de efeito de campo são paralelos aos orifícios de alimentação de fluido, onde cada um dos atuadores fluídicos é alimentado por um efeito de campo associado transistor. Os circuitos lógicos para acionar a pluralidade de transistores de efeito de campo estão dispostos na matriz em um lado oposto dos orifícios de alimentação de fluido dos transistores de efeito de campo, em que traços, dispostos entre os orifícios de alimentação de fluido, acoplam eletricamente os circuitos lógicos ao transistores de efeito de campo. A matriz tem uma estrutura de repetição que compreende um orifício de alimentação de fluido, dois atuadores fluídicos e dois transistores de efeito de campo colocados em um intervalo de duas vezes um espaçamento entre pontos em uma linha ao longo da matriz.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Concessão da patente

#16.1

Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 06/02/2019, observadas as condições legais

10/28/2025

RPI 2860

Deferimento

#9.1

09/09/2025

RPI 2853

Exigência - art. 36 da LPI

#6.1

03/06/2025

RPI 2826

Parecer de pré-exame

#6.23

02/28/2023

RPI 2721

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

10/05/2021

RPI 2648

Alteração de dados cadastrais

#1.1

08/10/2021

RPI 2640

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