FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO QUÂNTICO

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Abstract

FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO QUÂNTICO. A presente invenção refere-se a uma fase de mascaramento, na qual um primeiro segmento de uma máscara amorfa é formado sobre uma camada subjacente de um substrato. O primeiro segmento compreende um primeiro conjunto de sulcos que expõem a camada subjacente. Na fase de mascaramento um segundo segmento da máscara amorfa é formado sobre a camada subjacente. O segundo segmento compreende um segundo conjunto de sulcos que expõem a camada subjacente. Os segmentos não são sobrepostos. Uma extremidade aberta de um do primeiro conjunto de sulcos faceia uma extremidade aberta de um do segundo conjunto de sulcos, mas as extremidades são separadas por uma porção da máscara amorfa. Em uma fase de crescimento de semicondutor, o material semicondutor é crescido, por crescimento de área seletiva, no primeiro e segundo conjuntos de sulcos para formar primeira e segunda sub-redes de nanofios sobre a camada subjacente. A primeira e segunda sub-redes de nanofios são unidas para formar uma única rede de nanofios.