Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 27/08/2018, observadas as condições legais
06/25/2024
RPI 2790
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Official data from INPI
DESIGN DE CÉLULA DE ALTO DESEMPENHO EM UMA TECNOLOGIA COM ROTEAMENTO DE METAL DE ALTA DENSIDADE
ConcedidaInvention PatentPCT · US2018048076
Application data
Number
112020005182Type
Invention Patent
Filing
08/27/2018
Publication
09/15/2020
PCT
US2018048076 Progress at the INPI
- Filing08/27/18
- Publication09/15/20
- Examination
- Allowance05/07/24
- Grant06/25/24
- In force08/27/38
The patent was granted on 06/25/2024 and is in force until 08/27/2038. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:08/27/2038
Latest action published by the INPI: 06/25/2024. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants and inventors
Applicants
Q. I. (pessoa física)
US
Inventors
F. V. (pessoa física)
US
H. L. (pessoa física)
US
R. H. (pessoa física)
US
V. B. (pessoa física)
US
X. C. (pessoa física)
US
Technical data
IPC Classification
Priority claims
US
15/707,807 · 09/18/2017
Abstract
Em certos aspectos, uma pastilha semicondutora inclui uma primeira região dopada, uma segunda região dopada e uma interconexão formada de uma primeira camada de meio de linha (MOL), em que a interconexão eletricamente acopla a primeira região dopada à segunda região dopada. A pastilha semicondutora inclui também uma primeira linha de metal formada de uma primeira camada de metal de interconexão e uma primeira via eletricamente acoplando a interconexão à primeira linha de metal.
Prosecution history
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
Deferimento
#9.1
05/07/2024
RPI 2783
Parecer de pré-exame
#6.23
10/10/2023
RPI 2753
Adição na publicação
#15.35
11/23/2021
RPI 2655
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
09/15/2020
RPI 2593
Alteração de dados cadastrais
#1.1
09/08/2020
RPI 2592
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