TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE SEMICONDUTOR COMPOSTO

IPC Classification

Priority claims

Abstract

Um transistor de efeito de campo semicondutor composto incluindo uma camada de canal (524), uma camada de barreira epitaxial de múltiplas camadas (636, 534b, 638, 534c, 640, 534d) na camada de canal. A camada de canal sendo disposta em uma camada de buffer dopada (622), que é disposta em uma camada de buffer não dopada (522). O transistor de efeito de campo semicondutor composto inclui ainda uma porta (1454c) em uma primeira camada (636) da camada de barreira epitaxial de múltiplas camadas e através de um espaço entre as porções de uma segunda camada da camada de barreira epitaxial de múltiplas camadas. O transistor de efeito de campo semicondutor composto pode ainda incluir um contato corporal (1454) eletricamente acoplado à camada de buffer dopada (622).