?ELEMENTO DE FILME FINO PIEZOELÉTRICO E MÉTODO PARA A FABRICAÇÃO DO DITO ELEMENTO?

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Abstract

?ELEMENTO DE FILME FINO PIEZOELÉTRICO E MÉTODO PARA A FABRICAÇÃO DO DITO ELEMENTO?A presente invenção trata de um elemento de filme fino piezoelétrico (10) compreendendo um primeiro eletrodo, um segundo eletrodo e uma ou mais filmes finos piezoelétricos, entre os quais o primeiro eletrodo é um eletrodo metálico de platina (11) com um tamanho médio de grão superior a 50 nm e, em que um filme fino piezoelétrico adjacente ao eletrodo metálico de platina compreende um laminado tendo uma pluralidade de camadas de filme fino piezoelétrico, onde uma camada de filme fino piezoelétrico em contato com o eletrodo metálico de platina compreende titanato zirconato de chumbo (PZT) de composição de ou cerca de PbZrxTi1-xO3, onde 0 < x = 0,60 e apresentando um grau de orientação (100) pseudocúbica maior ou igual a 90%.