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Official data from INPI

PASSIVAÇÃO DE SUPERFÍCIES DE RECEPÇÃO DE LUZ DE CÉLULAS SOLARES COM SILÍCIO CRISTALINO

IndeferidaInvention PatentPCT · US2015037819

Application data

Number

112016025280

Type

Invention Patent

Filing

06/25/2015

Publication

12/12/2017

PCT

US2015037819

Progress at the INPI

  1. Filing06/25/15
  2. Publication12/12/17
  3. Examination
  4. Refused05/26/26
  5. Grant
  6. In force

The application was refused on 05/26/2026 and the appeal did not change the decision. The invention was never patented and the technology is in the public domain in Brazil.

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Latest action published by the INPI: 05/26/2026. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

MAXEON SOLAR PTE. LTD.

SG

S. C. (pessoa física)

US

T. S. (pessoa física)

FR

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Inventors

D. S. (pessoa física)

US

K. T. (pessoa física)

US

M. J. (pessoa física)

US

P. J. (pessoa física)

US

P. T. (pessoa física)

PH

S. R. (pessoa física)

US

Technical data

Priority claims

US

14/317.672 · 06/27/2014

Abstract

PASSIVAÇÃO DE SUPERFÍCIES DE RECEPÇÃO DE LUZ DE CÉLULAS SOLARES COM SILÍCIO CRISTALINO. A presente invenção refere-se a métodos de passivação de superfícies de recepção de luz de células solares com silício cristalino, e das células solares assim obtidas. Em um exemplo, uma célula solar inclui um substrato de silício que tem uma superfície de recepção de luz. Uma camada de silício intrínseco é disposta acima da superfície de recepção de luz do substrato de silício. Uma camada de silício de dopagem tipo N é disposta sobre a camada de silício intrínseco. Uma ou ambas dentre a camada de silício intrínseco e a camada de silício de dopagem tipo N é uma camada de silício microcristalino ou policristalino. Em um outro exemplo, uma célula solar inclui um substrato de silício que tem uma superfície de recepção de luz. Uma camada dielétrica de passivação é disposta sobre a superfície de recepção de luz do substrato de silício. Uma camada de silício microcristalino ou policristalino de dopagem tipo N é disposta sobre a camada dielétrica de passivação.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Indeferimento mantido em recurso

#9.2.4

MANTIDO O INDEFERIMENTO UMA VEZ QUE NÃO FOI APRESENTADO RECURSO DENTRO DO PRAZO LEGAL.MANTIDO O INDEFERIMENTO UMA VEZ QUE NÃO FOI APRESENTADO RECURSO DENTRO DO PRAZO LEGAL.

05/26/2026

RPI 2890

Transferência deferida

#25.1

07/04/2023

RPI 2739

Alteração de sede deferida

#25.7

06/27/2023

RPI 2738

Indeferimento

#9.2

06/14/2022

RPI 2684

Conhecimento de parecer técnico

#7.1

02/15/2022

RPI 2667

Adição na publicação

#15.35

08/17/2021

RPI 2641

Adição na publicação

#15.35

08/03/2021

RPI 2639

Exigência preliminar

#6.21

04/28/2020

RPI 2573

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

12/12/2017

RPI 2449

Alteração de dados cadastrais

#1.1

11/08/2016

RPI 2392

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