Restauração da patente
#24.4
07/14/2026
RPI 2897
Application data
Number
112013018702Type
Filing
Publication
PCT
CZ2011000076 The patent was granted on 06/01/2021 and is in force until 08/03/2031. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:08/03/2031
Latest action published by the INPI: 07/14/2026. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
V. B. (pessoa física)
CZ
Inventors
F. P. (pessoa física)
CZ
IPC Classification
Priority claims
CZ
PV2011-42 · 01/27/2011
Abstract
ELEMENTO FOTOVOLTAICO COM UM RESSONADOR INCLUÍDO A presente invenção se refere a um elemento fotovoltaico incluindo um ressonador que é disposto em uma estrutura semiocondutora (5) que é constituída por uma região sem amortecimento eletromagnético (5a), cujo plano superior forma o plano de incidência (3) e uma região com amortecimento eletromagnético (5b), ambas as regiões sendo ligadas pelos limites virtuais (6) da variação nas propriedades do material. Pelo menos um ressonador 2D-3D (4) é circundado por um dielétrico (10) e configurado na estrutura semicondutora (5), com um eletrodo relativo (11), limitando a região com amortecimento eletromagnético (5b). O elemento fotovoltaico tendo um ressonador disposto em uma estrutura semicondutora (5) utiliza a estrutura (5) e suas características para definir condições adequadas para a colisão de uma onda eletromagnética e sua transformação para uma forma estacionária do campo eletromagnético e não para garantir a geração de uma carga elétrica. O ressonador 2D-3D produz corrente elétrica ou tensão, que é conduzida com a ajuda de um componente não linear (15) a um componente de conexão (16). O elemento não linear (15) molda o sinal no circuito ressonante; este sinal é então filtrado (retificado) para um formato ainda mais utilizável. O ressonador planar e espacial (ressonador 2D-3D) é projetado de tal forma que impeça que a onda eletromagnética passe pela estrutura semicondutora (5) sendo refletida de volta para o ressonador 2D-3D criado na estrutura (5). A estrutura semicondutora (5) não gera uma onda eletromagnética no sentido contrário, na direção da colisão da onda eletromagnética emitida por uma fonte, tal como o sol. A região com eletromagnético (5b) tem a função de suprimir a onda refletida. Desse modo, o ressonador comporta-se como um componente correspondente de impedância ideal para o espectro de frequência proposto. A estrutura semicondutora (5) é definida de tal forma que a condutividade na região de amortecimento eletromagnético (5b) na direção do eletrodo relativo (11), que a uma curva de ressonância ampla nos componentes de elemento fotovoltaico.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#24.4
07/14/2026
RPI 2897
#24.2
Conforme Portaria 52/2023, o depositante deverá complementar a retribuição da 15ª anuidade, de acordo com tabela vigente, referente a guia de recolhimento 29409162342747736, uma vez que a anuidade não foi recolhida conforme os valores atualizados da nova tabela de retribuição (Vide parecer).
09/16/2025
RPI 2854
Ref. RPI 2630 de 01/06/2021 quanto aos desenhos.
06/29/2021
RPI 2634
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 03/08/2011, observadas as condições legais
06/01/2021
RPI 2630
#9.1
03/16/2021
RPI 2619
#6.1
11/03/2020
RPI 2600
#6.21
10/22/2019
RPI 2546
#6.6.1
12/26/2018
RPI 2503
#15.11
Procedimento automático de reclassificação. As classificações IPC anteriores eram: H02N 6/00; H01Q 1/24; H01Q 17/00.
03/27/2018
RPI 2464
#1.3
10/25/2016
RPI 2390
#1.1
05/13/2014
RPI 2262
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