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CÉLULA DE MEMÓRIA DE GANHO DE DOIS TRANSISTORES COM ÓXIDO DE ÍNDIO-GÁLIO-ZINCO, MÉTODOS E SISTEMAS RELACIONADOS

Em ExigênciaInvention Patent

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Application data

Number

102021023597

Type

Invention Patent

Filing

11/23/2021

Publication

06/28/2022

View on INPI

Progress at the INPI

Technical opinion to answer

Filing11/23/21
Publication06/28/22
Examination
Allowance
Grant
In force

The INPI issued a technical opinion on patentability. The applicant must respond for examination to continue.

Latest action published by the INPI: 05/26/2026. We update with every new RPI gazette, published weekly.

Applicants and inventors

Applicants

I. C. (pessoa física)

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Inventors

S. T. (pessoa física)

Technical data

IPC Classification

H01L 21/02 H01L 21/4763 H01L 27/105 H01L 27/108 H01L 27/12 H01L 29/24 H01L 29/66 H01L 29/786

Priority claims

17/132,908 · 12/23/2020

Abstract

CÉLULA DE MEMÓRIA DE GANHO DE DOIS TRANSISTORES COM ÓXIDO DE ÍNDIO-GÁLIO-ZINCO, MÉTODOS E SISTEMAS RELACIONADOS. Trata-se de uma memória de célula de ganho de dois transistores (2T) exemplificativa com transistores de óxido de índio-gáliozinco (IGZO). Exemplos incluem transistores de IGZO incluídos em umacélula de memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM). Os transistores de IGZO incluídos na célula de DRAM são descritos como formados ou criados em uma pilha de processo de metal de back end (BE) de um chip de circuito integrado ou molde.

Prosecution history

Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).

Parecer de pré-exame

#6.23

05/26/2026

RPI 2890

Publicação do pedido de patente

#3.1

06/28/2022

RPI 2686

Pedido de patente depositado

#2.1

02/15/2022

RPI 2667

Requerimento de pedido de patente

#2.10

Número de Protocolo '870210108489' em 23/11/2021 19:28 (WB)

12/07/2021

RPI 2657

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