Retificação de publicação
#3.8
Retificação da publicação 3.1 da RPI 2685 de 21/06/2022 em relação ao item (74) da mesma por ter saído incorreta.
05/12/2026
RPI 2888
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Official data from INPI
MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE SENSOR UTBB SOI MOSFET E DISPOSITIVO SENSOR UTBB SOI MOSFET
Em AnáliseInvention Patent
Application data
Number
102020024866Type
Invention Patent
Filing
12/04/2020
Publication
06/21/2022
Progress at the INPI
- Filing12/04/20
- Publication06/21/22
- Examination
- Allowance
- Grant
- In force
The application was published in the RPI gazette on 06/21/2022 and is now open to any interested party. It moves on to technical examination at the INPI.
Latest action published by the INPI: 05/12/2026. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants and inventors
Applicants
UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO - USP
SP, BR
Inventors
J. M. (pessoa física)
BR
K. S. (pessoa física)
BR
L. Y. (pessoa física)
BR
R. R. (pessoa física)
BR
Technical data
IPC Classification
Abstract
MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE SENSOR UTBB SOI MOSFET E DISPOSITIVO SENSOR UTBB SOI MOSFET. A presente invenção apresenta um dispositivo transistor Sensor Ultra-Thin Body and Buried oxide silicon on insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (UTBB SOI MOSFET), e o método de fabricação do mesmo em que o dispositivo é capaz de funcionar como transistor tipo N ou P e, consequentemente, como sensor de íons positivos e negativos.
Prosecution history
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
Petição de recurso
#12.2
Recurso: Petição 870260029034, de 27/03/2026
04/14/2026
RPI 2884
Indeferimento
#9.2
01/27/2026
RPI 2873
Conhecimento de parecer técnico
#7.1
09/09/2025
RPI 2853
Conhecimento de parecer técnico
#7.1
04/29/2025
RPI 2834
Publicação do pedido de patente
#3.1
06/21/2022
RPI 2685
Pedido de patente depositado
#2.1
03/16/2021
RPI 2619
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo '870200152962' em 04/12/2020 17:06 (WB)
12/15/2020
RPI 2606
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