The patent was granted on 03/02/2021 and is in force until 11/04/2036. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:11/04/2036
Latest action published by the INPI: 03/02/2021. We update with every new RPI gazette, published weekly.
: "MÉTODO DE FABRICAR DISPOSITIVO SEMICONDUTOR"Um método de fabricar um dispositivo semicondutor (50) que inclui um primeiro membro (10) e um segundo membro (20) unido ao primeiro membro, o método incluindo: a) produzir (Cu,Ni)6Sn5 sobre um filme de Ni formado sobre o primeiro membro (12) fundindo a primeira solda de Sn-Cu (14) contendo 0,9% em p ou mais de Cu sobre o filme de Ni do primeiro membro; b) produzir (Cu,Ni)6Sn5 sobre um filme de Ni formado sobre o segundo membro (22) fundindo uma segunda solda de Sn-Cu (24) contendo 0,9% em p ou mais de Cu sobre o filme de Ni do segundo membro; e c) unir o primeiro membro e o segundo membro um ao outro fundindo a primeira solda de Sn-Cu que foi submetida à etapa a) e a segunda solda de Sn-Cu que foi submetida à etapa b) de modo que a primeira solda de Sn-Cu e a segunda solda de Sn-Cu tornam-se integradas.
Prosecution history
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
Concessão da patente
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 04/11/2016, observadas as condições legais
03/02/2021
RPI 2617
Deferimento
#9.1
01/12/2021
RPI 2610
Exigência preliminar
#6.21
06/02/2020
RPI 2578
Publicação do pedido de patente
#3.1
07/18/2017
RPI 2428
Pedido de patente depositado
#2.1
12/13/2016
RPI 2397
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Número de Protocolo 870160064826 em 04/11/2016 09:50(WB).
