Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI
#11.2
12/01/2020
RPI 2604
Application data
Number
102013019237Type
Filing
Publication
The application was abandoned: the INPI technical office action was not answered in time (art. 36 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.
Talk to a specialistLatest action published by the INPI: 12/01/2020. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
GENERAL ELECTRIC COMPANY
US
Inventors
J. M. (pessoa física)
US
S. A. (pessoa física)
US
IPC Classification
Priority claims
US
13/562,029 · 07/30/2012
Abstract
SISTEMA, DISPOSITIVO DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE ÓXIDO DE METAL (MOSFET) E MÉTODO. Trata-se de um sistema que inclui um dispositivo semicondutor de carboneto de silício (SiC) e uma embalagem vedada hermeticamente que engloba o dispositivo semicondutor de SIC. A embalagem vedade hermeticamente é configurada para manter uma atmosfera particular próxima do disposito semicondutor de SIC. Adicionalmente, a atmosfera particular limita um deslocamento em uma tensão limite do dispositivo semicondutor de SIC para menos 1V durante a operação.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#11.2
12/01/2020
RPI 2604
#6.1
07/07/2020
RPI 2583
#6.21
01/14/2020
RPI 2558
#6.6.1
12/04/2018
RPI 2500
#3.1
08/25/2015
RPI 2329
#2.1
11/11/2014
RPI 2288
#2.5
07/22/2014
RPI 2272
#2.10
Número de Protocolo 18130025701 em 29/07/2013 04:20(SP).
04/29/2014
RPI 2260
From the same holder
Patent monitoring
Receive alerts on INPI events, decisions, and expiry dates for your portfolio.