Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI
#11.2
09/15/2020
RPI 2593
Application data
Number
102014016375Type
Filing
Publication
The application was abandoned: the INPI technical office action was not answered in time (art. 36 of the Brazilian IP Act). The technology is in the public domain in Brazil.
Talk to a specialistLatest action published by the INPI: 09/15/2020. We update with every new RPI gazette, published weekly.
Applicants
GENERAL ELECTRIC COMPANY
US
Inventors
A. B. (pessoa física)
US
P. L. (pessoa física)
US
S. K. (pessoa física)
US
IPC Classification
Priority claims
US
13/933,366 · 07/02/2013
Abstract
MÉTODO PARA FABRICAR UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E DISPOSITIVO SEMICONDUTOR. [001] Trata-se de um método para fabricar um dispositivo semicondutor. O método inclui fornecer uma camada semicondutora que compreende carboneto de silício, em que a camada semicondutora compreende uma primeira região dopada com um primeiro tipo de dopante. O método inclui adicionalmente implantar a camada semicondutora com um segundo tipo de dopante com o uso de uma única máscara de implantação e uma dose de implantação substancialmente similar para formar uma segunda região e uma extensão de terminação de junção (JTE) na camada semicondutora, em que a dose de implantação esta em uma faixa de cerca de 2 x 1013 cm'2 a cerca de 12 x 1013 cm'2. Dispositivos semicondutores são também apresentados.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#11.2
09/15/2020
RPI 2593
#6.21
04/14/2020
RPI 2571
#6.6.1
11/06/2018
RPI 2496
#3.1
05/31/2016
RPI 2369
#2.1
10/29/2014
RPI 2286
#2.10
Número de Protocolo 18140012673 em 01/07/2014 03:21(SP).
08/19/2014
RPI 2276
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