Concessão da patente
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 30/11/2012, observadas as condições legais
02/09/2021
RPI 2614
Application data
Number
102012030606Type
Filing
Publication
The patent was granted on 02/09/2021 and is in force until 11/30/2032. Until then, no one may make, use or sell the invention in Brazil without the owner's authorisation.
Protection valid until:11/30/2032
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Applicants
União Brasileira de Educação e Assistência - Mantenedora da PUC RS
RS, BR
Inventors
A. M. (pessoa física)
BR
I. Z. (pessoa física)
BR
IPC Classification
Abstract
PROCESSO DE DIFUSÃO EM LÂMINAS DE SILÍCIO PARA FABRICAÇÃO DE CÉLULAS SOLARES. A presente invenção descreve novo processo para produção de células solares, a partir de lâminas de silício, por meio da difusão de boro (ou outro dopante tipo p) e fósforo (ou outro dopante tipo n) nestas lâminas, usando uma camada de silicato para proteger a face com boro (ou outro opante tipo p) da difusão de fósforo (ou outro dopánte tipo n). Evita-se o uso de passo térmico de crescimento de camada de óxido de silício e o uso de resina para proteção de uma das faces durante o ataque de óxidos com ácido fluorídico. Desta forma, apresenta vantagens, dentre estas a não utilização de resinafotossensível, ácido fluorídrico tampão e acetona, permitindo a redução do número de etapas, no mínimo quatro, em processos de fabricação de células solares. Consequentemente há uma diminuição em horas de recursoshumanos e de consumo de energia elétrica, de gases de alta pureza e de produtos químicos, reduzindo-se o custo de produção em comparação com os métodos convencionais.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 30/11/2012, observadas as condições legais
02/09/2021
RPI 2614
#9.1
12/01/2020
RPI 2604
#6.22
01/14/2020
RPI 2558
#6.6.1
12/04/2018
RPI 2500
03/01/2016
RPI 2356
#8.6
Referente à 3ª anuidade.
12/01/2015
RPI 2343
#3.1
09/09/2014
RPI 2279
#2.1
07/23/2013
RPI 2220
#2.10
Número de Protocolo 20120111333 em 30/11/2012 04:15(RJ).
03/05/2013
RPI 2200
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