Arquivamento - Art. 38 §2° da LPI
#11.4
03/23/2021
RPI 2620
Application data
Number
102012006259Type
Filing
Publication
The application was allowed on 12/08/2020 but abandoned for failure to pay the grant fee (art. 38 of the Brazilian IP Act). The letters patent were never issued.
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Applicants
OERLIKON METCO AG, WOHLEN
CH
SULZER MARKETS AND TECHNOLOGY AG
CH
SULZER METCO AG
DE
Inventors
M. G. (pessoa física)
CH
R. D. (pessoa física)
CH
IPC Classification
Priority claims
EP
11159374.5 · 03/23/2011
Abstract
MÉTODO DE PULVERIZAÇÃO DE PLASMA PARA A FABRICAÇÃO DE UMA MEMBRANA CONDUTORA DE ÍONS. A PRESENTE INVENÇÃO REFERE-SE A UM MÉTODO DE PULVERIZAÇÃO DE PLASMA PARA A FABRICAÇÃO DE UMA MEMBRANA CONDUTORA DE ÍONS, CUJA MEMBRANA CONDUTORA DE ÍONS TEM UMA CONDUTIVIDADE DE ÍONS, EM CUJO MÉTODO A MEMBRANA É DEPOSITADA COMO UMA CAMADA (11) SOBRE UM SUBSTRATO (10) EM UMA CÂMARA DE PROCESSO, E NO QUAL UM MATERIAL DE PARTIDA (P) É PULVERIZADO SOBRE UMA SUPERFÍCIE DO SUBSTRATO (10) SOB A FORMA DE UM FEIXE DE PROCESSO (2) POR MEIO DE GÁS DE PROCESSO (G), SENDO QUE O MATERIAL DE PARTIDA É INJETADO EM UM PLASMA A UMA BAIXA PRESSÃO DE PROCESSO, QUE É DE NO MÁXIMO 10.00 Pa, E É PARCIAL OU COMPLETAMENTE FUNDIDO NO PLASMA. UM OXIGÊNIO (O~ 2~; 22) É SUPRIDO PARA A CÂMARA DE PROCESSO (12) DURANTE A PULVERIZAÇÃO A UMA TAXA DE FLUXO CALCULADA EM PELO MENOS 1%, DE PREFERÊNCIA PELO MENOS 2%, DA TAXA DE FLUXO DO GÁS DE PROCESSO.
Publications in the Brazilian Industrial Property Gazette (RPI).
#11.4
03/23/2021
RPI 2620
#9.1
12/08/2020
RPI 2605
#6.1
05/19/2020
RPI 2576
#25.4
10/01/2019
RPI 2543
07/09/2019
RPI 2531
#6.6.1
04/03/2018
RPI 2465
#25.1
06/16/2015
RPI 2319
#3.1
05/21/2013
RPI 2211
#2.1
01/08/2013
RPI 2192
#2.10
Número de Protocolo 20120023992 em 20/03/2012 04:35(RJ).
07/03/2012
RPI 2165
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