CÉLULA DE MEMÓRIA

Zusammenfassung

"CÉLULA DE MEMÓRIA". A invenção é no campo da engenharia de computação e pode ser utilizada em dispositivos de memória para vários computadores, especificamente no desenvolvimento de um sistema de memória universal com altas velocidades de leitura e de gravação de dados juntamente com capacidades para o armazenamento a longo prazo e alta densidade de informação, bem como no desenvolvimento de equipamento de vídeo e de áudio de uma nova geração, no desenvolvimento de sistemas de memória associativa, e na criação de sinapses (elementos de circuito elétrico provido de uma resistência elétrica programável) para redes neurais. A falta de tal elemento atrasa o desenvolvimento de verdadeiros computadores neuronais. A invenção tem por base a tarefa de criar um tipo essencialmente novo de célula de memória que permita armazenar vários bits de dados, tenha rápida comutação de resistência e exija baixa voltagem operacional mas, ao mesmo tempo, permita combinar sua tecnologia de fabricação com a tecnologia moderna de fabricação de semicondutores. A Figura 6 mostra uma opção de implementação da célula de memória reivindicada contendo dois eletrodos de alumínio contínuos 1 e 2 entre os quais há uma zona funcional multicamada que consiste de uma camada ativa 3, uma camada de barreira 4 e uma camada passiva 5. Esta estrutura da zona funcional permite mudar a resistência elétrica da zona ativa e/ou formar áreas altamente condutores ou linhas com condução metálica na zona ativa sob a influência do campo elétrico externo e/ou sua emissão de luz na célula de memória e reter sua resistência elétrica por longos períodos de tempo sem aplicar campos elétricos externos. A célula de memória é vantajosamente distintiva dos elementos de memória de um único bit utilizados atualmente, pois ele pode armazenar vários bits de informação. O tempo de armazenamento dos dados depende da estrutura da célula de memória, do material utilizado para a zona funcional e do modo de gravação. Ele pode variar de vários segundos (pode ser utilizado para construir memória dinâmica) a vários anos (pode ser utilizado para construir memória de longo prazo, como a memória flash). É possível criar uma memória universal que pode funcionar tanto nos modos dinâmico como no de longo prazo, dependendo do modo de gravação dos dados.

IPC-Klassifikation