18.04.2006
RPI 1841
Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI
11.1.1
ErfindungspatentPI0112740
Advanced Micro Devices, INC.+1
Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 17/07/2001, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Mit einem Fachmann sprechenLetzte vom INPI veröffentlichte Handlung: 18.04.2006. Wir aktualisieren mit jeder neuen, wöchentlich erscheinenden RPI.
Zusammenfassung
"LEITURA DE RAJADA QUE INCORPORA SAÍDA COM BASE EM REDUNDÂNCIA". Dispositivo para efetuar a leitura redundante em uma memória flash. O dispositivo inclui conjuntos de células de memória regulares (410) e conjuntos de células de memória redundantes (412). Algumas das células de memória regular podem ter endereços defeituosos. Um amplificador sensível regular (420) lerá as células de memória regular em seus endereços acessados enquanto um amplificador sensível redundante (422) lerá as células de memória redundantes. Um primeiro conjunto (432) de CAMs armazenará os endereços defeituosos das células de memória defeituosas enquanto um segundo conjunto (432) de CAMs armazenará os designadores de entrada/saída das células de memória defeituosas. A decodificação do circuito (460) decodificará os designadores de entrada/saída tanto das células de memória defeituosas como as células de memória não defeituosas. Um estágio multiplexador multi-bit (490) emitirá quer o conteúdo da célula de memória regular (410) ou, se o endereço for defeituoso, o conteúdo da célula de memória redundante (412). O conteúdo será aplicado à saída do multiplexador correspondendo ao designador de entrada/saída da célula de memória.
IPC-Klassifikation
Prioritätsansprüche
US
09/724.669 · 28.11.2000
US
60/220.690 · 25.07.2000
Veröffentlichungen im Brasilianischen Amtsblatt für gewerblichen Rechtsschutz (RPI).
18.04.2006
RPI 1841
11.1.1
04.10.2005
RPI 1813
11.1
01.07.2003
RPI 1695
1.3
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