Dado oficial do INPI

ARQUITETURA DE DISPOSITIVO DE ALTA TENSÃO PARA O PROCESSO SUBMÍCRON

ArquivadaPatente de Invenção

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Dados do pedido

Número

PI9907506

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

22/12/1999

Publicação

03/10/2000

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Andamento no INPI

Depósito22/12/99
Publicação03/10/00
Arquivado
Deferimento
Concessão
Em vigor

Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 22/12/1999, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 20/07/2004. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

X. C. (pessoa física)

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Inventores

A. E. (pessoa física)

Dados técnicos

Classificação IPC

H01L 29/735

Prioridades unionistas

09/220,967 · 23/12/1998

Resumo técnico

Patente de Invenção: "ARQUITETURA DE DISPOSITIVO DE ALTA TENSÃO PARA O PROCESSO SUBMÍCRON" . Um transistor MOS submícron, que tem uma alta tensão de ruptura. O transistor MOS tem duas regiões de depleção fundindo que causam ao contorno eqüipotencial se curvar na direção da difusão de drenagem para formar o efeito quasi-RESURF.