Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI
#11.2
13/01/2009
RPI 1984
Dados do pedido
Número
PI9903097Tipo
Depósito
Publicação
Pedido arquivado: a exigência técnica do INPI não foi cumprida no prazo (art. 36 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 13/01/2009. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
I. T. (pessoa física)
SP, BR
M. S. (pessoa física)
SP, BR
Inventores
I. T. (pessoa física)
BR
M. S. (pessoa física)
BR
Classificação IPC
Resumo técnico
"PROCESSO DE DEPOSIÇÃO QUÍMICA A VAPOR PARA A HIDROFOBIZAÇÃO DE PAPEL", onde o composto Hexametildissilazana é depositado pelo processo de deposição química a vapor sobre o papel, tornando-o hidrofóbico. O processo utiliza um reator de plasmas que consiste basicamente de uma câmara de vácuo (1), onde dois eletrodos (2) são ligados a uma fonte de tensão alternada de 40 kHz (3) com um módulo de casamento de impedâncias (4). A câmara é evacuada por uma bomba mecânica (5), que possue um filtro (6) e uma armadilha gelada (7), e a velocidade de bombeamento é controlada pela abertura de uma válvula (8). O vapor do monômero é injetado através da diferença entre a pressão de vapor do monômero (9) mantido num banho a temperatura controlada (10), e a pressão da câmara. O fluxo é controlado por uma válvula agulha (11). As amostras são colocadas no eletrodo aterrado a uma temperatura entre 20 °C e 60 °C, e após o estabelecimento da pressão desejada, na faixa de 0.1 Torr a 2 Torr, a fonte de tensão é ligada com potências entre 5W e 50W, formando um plasma com W/FM entre 5x10 ^2 ^ MJ/kg e 7.5x10 ^3 ^ MJ/kg. O tratamento tem duração típica de 2 a 4 minutos. Variações do processo utilizam o Tetraetilortossilicato, e o n-Hexano como impurificantes, para obter ângulos de contato menores ou diminuir os custos, respectivamente
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#11.2
13/01/2009
RPI 1984
27/05/2008
RPI 1951
#3.1
16/01/2001
RPI 1567
#2.1
21/11/2000
RPI 1559
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