Dado oficial do INPI

PROCESSO DE MODIFICAÇÃO DE UMA SUPERFÍCIE DE UMA PASTILHA ADEQUADA PARA FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, E, PASTILHA ADEQUADA PARA FABRICAÇÃO DE SEMICONDUTORES

ArquivadaPatente de InvençãoPCT · US1998008693

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Dados do pedido

Número

PI9809311

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

30/04/1998

Publicação

04/07/2000

PCT

US1998008693

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Andamento no INPI

Depósito30/04/98
Publicação04/07/00
Arquivado
Deferimento
Concessão
Em vigor

Pedido arquivado: a exigência técnica do INPI não foi cumprida no prazo (art. 36 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 10/02/2009. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

Minnesota Mining And Manufacturing Company.

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Inventores

D. K. (pessoa física)

H. K. (pessoa física)

L. H. (pessoa física)

T. W. (pessoa física)

Dados técnicos

Classificação IPC

B24B 37/04 B24D 11/00 B24D 3/20 C09K 3/14 H01L 21/321 H01L 21/768

Prioridades unionistas

08846726 · 30/04/1997

Resumo técnico

"PROCESSO DE MODIFICAÇÃO DE UMA SUPERFÍCIE DE UMA PASTILHA ADEQUADA PARA FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, E, PASTILHA ADEQUADA PARA FABRICAÇÃO DE SEMICONDUTORES". Esta invenção diz respeito a um processo para modificar ou refinar a superfície de uma pastilha adequada para a fabricação de um semicondutor. Este processo pode ser usado para modificar uma pastilha que tenha uma superfície exposta não modificada, que compreenda uma camada de segundo material desenvolvido através de pelo menos um aspecto discreto de um primeiro material ligado à pastilha. Uma primeira etapa deste processo compreende o contato e o movimento relativo do compósito abrasivo tridimensional que consista de uma pluralidade de partículas abrasivas fixadas e dispersas em um aglutinante, e manter o contato para efetuar a remoção do segundo material. Em uma segunda etapa, o contato e o movimento relativo são continuados até que uma superfície exposta da pastilha tenha pelo menos uma área do primeiro material exposta, e pelo menos uma área do segundo material exposta.