Dados do pedido
Número
PI9802214Tipo
Depósito
Publicação
Patente concedida em 06/12/2005 e depois extinta em 06/04/2021. A proteção terminou antes do prazo e a tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 06/04/2021. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
General Electric Company
US
SABIC Innovative Plastics IP B.V.
NL
Inventores
C. I. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
050820 · 26/06/1997
US
059109 · 13/04/1998
Resumo técnico
Patente de Invenção: ''DEPOSIÇÃO DE DIÓXIDO DE SILÍCIO POR PROCESSO DE EVAPORAÇÃO ATIVADO POR PLASMA'' . Um processo de deposição reativa ativada por plasma é usado para depositar revestimentos resistentes ao risco de silício sobre vários substratos. O processo compreende silício ou óxido de silício em um plasma de argônio e óxido nitroso, que é direcionado para a superfície a ser revestida.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#24.10
Em virtude da extinção publicada na RPI 2606 de 15-12-2020 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantida a extinção da patente e seus certificados, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.
06/04/2021
RPI 2622
#21.6
Referente às 12ª e 13ª anuidades.
15/12/2020
RPI 2606
Anulada a publicação código 24.8 na RPI nº 2257 de 08/04/2014 por ter sido indevida.
01/12/2020
RPI 2604
08/04/2014
RPI 2257
Referente à 12ª e 13ª anuidade(s).
16/08/2011
RPI 2119
#25.1
Transferido de: General Electric Company
29/09/2009
RPI 2021
#16.1
06/12/2005
RPI 1822
#9.1
16/08/2005
RPI 1806
#6.1
12/04/2005
RPI 1788
#3.1
26/10/1999
RPI 1503
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