Arquivamento definitivo por descumprimento
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 1860 de 29/08/2006.
06/12/2011
RPI 2135
Dados do pedido
Número
PI9714724Tipo
Depósito
Publicação
PCT
KR1997000095 Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 06/12/2011. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
Daewoo Eletronics Co. , Ltd.
KR
Inventores
Y. M. (pessoa física)
KR
Classificação IPC
Resumo técnico
"PROCESSO PARA FABRICAÇÃO DE UM CONJUNTO DE ESPELHOS ATUADOS DE FILME FINO" Um processo inventivo para fabricação de um conjunto de M x N espelhos atuados de filme fino (401), para uso em um sistema de projeção óptico, inclui as etapas de: proporcionar um substrato (310); depositar uma camada de sacrifício de filme fino sobre a parte de topo do substrato; criação de um conjunto de M x N cavidades vazias sobre a camada de sacrifício de filme fino; depósito de uma camada elástica sobre a parte de topo da camada de sacrifício de filme fino incluindo as cavidades vazias; configuração da camada elástica em um conjunto de M x N elementos elásticos (335); formação de um conjunto de M x N dispositivos de comutação (415) sobre o substrato (310); depósito de uma camada de apassivação (340) e uma camada de interrupção de ataque químico (350); remoção da camada de interrupção de ataque químico e da camada de apassivação, seletivamente, de modo que os elementos elásticos (335) são expostos; formação de um conjunto de M x N segundos eletrodos de filme fino (365) e um conjunto de M x N elementos eletrodeslocadores de filme fino (375), sucessivamente, sobre a parte de topo de cada um dos elementos elásticos (335); formação de um conjunto de M x N estruturas de atuação; e remoção da camada de sacrifício de filme fino, para formar, assim, o conjunto de M x N espelhos atuados de filme fino (401). Para evitar dano térmico da matriz ativa, no processo inventivo, um conjunto de M x N dispositivos de comutação (415) é formado sobre o substrato (310), após todos os processos de alta temperatura tiverem sido completados, o que vai, por sua vez, reduzir a possibilidade de ocorrência de danos térmicos no conjunto de dispositivos de comutação (415).
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 1860 de 29/08/2006.
06/12/2011
RPI 2135
#8.6
Referente a 7ª,8ª e 9ª anuidades.
29/08/2006
RPI 1860
#1.3
20/06/2000
RPI 1537
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