ALQUISULFONILOXIMAS PARA FOTORRESISTS I-LINHA DE ALTA RESOLUÇÃO DE ALTA SENSIBILIDADE

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

Patente de Invenção: "ALQUILSULFONILOXIMAS PARA FOTORRESISTS I-LINHA DE ALTA RESOLUÇÃO DE ALTA SENSIBILIDADE" . A invenção descreve o uso de compostos de alquil sulfonato de oxima de fórmula 1, onde R é naftila, R~ 0~ é um grupo R~ 1~-X ou R~ 2~; X é uma ligação direta, um átomo de oxigênio ou um átomo de enxofre; R~ 1~ é hidrogênio, C~ 1~-C~ 4~ alquila ou um grupo fenila que é não-substituída ou substituída com um substituinte selecionado do grupo que consiste de cloro, bromo, C~ 1~-C~ 4~ alquila e C~ 1~-C~ 4~ alquilóxi; R~ 2~ é hidrogênio ou C~ 1~-C~ 4~ alquila; e R~ 3~ é C~ 1~-C~ 12~ alquila de cadeia reta ou ramificada, que é não-substituída ou substituída com um ou mais átomos de halogênio; como gerador de ácido fotossensível em um fotorresist quimicamente amplificado que é revelável em meio alcalino e que é sensível à radiação em um comprimento de onda de 340 a 390 nanômetros e por conseguinte composto de fotorresist positivos e negativos para a faixa de comprimento de onda mencionada acima.