Arquivamento definitivo por descumprimento
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 1905 de 10/07/2007.
06/12/2011
RPI 2135
Dados do pedido
Número
PI9712840Tipo
Depósito
Publicação
PCT
DE1997002066 Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 06/12/2011. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
S. A. (pessoa física)
DE
Inventores
G. T. (pessoa física)
DE
Classificação IPC
Prioridades unionistas
DE
196 39 026.5 · 23/09/1996
Resumo técnico
Patente de Invenção: "CÉLULA DE MEMÓRIA NÃO-VOLÁTIL" . A invenção refere-se a uma célula de memória não-volátil, auto-ajustada, em que está disposto um transistor MOS com campos de fonte e dreno (6) na região de superfície de um corpo semicondutor (1). Porta flutuante (12) e porta de controle (16) do transistor MOS estão dispostos, mutuamente sobrepostos, em um rebaixo (8), enquanto que o canal de transistor (17) está guiado lateralmente em uma região de superfície do rebaixo (8).
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 1905 de 10/07/2007.
06/12/2011
RPI 2135
#8.6
referente á 8ª , 9ª e 10ª anuidades.
10/07/2007
RPI 1905
#1.3
05/12/2000
RPI 1561
Do mesmo titular
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