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Dado oficial do INPI

AUTOMATIZADOR DA LUZ ALTA DE VEÍCULOS AUTOMOTOR

ArquivadaPatente de Invenção

Dados do pedido

Número

PI9603285

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

27/06/1996

Publicação

12/05/1998

Andamento no INPI

  1. Depósito27/06/96
  2. Publicação12/05/98
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 27/06/1996, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 18/09/2001. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

J. N. (pessoa física)

MG, BR

Inventores

J. N. (pessoa física)

BR

Dados técnicos

Classificação IPC

Resumo técnico

Patente de invenção para "AUTOMATIZADOR DA LUZ ALTA DE VEÍCULOS AUTOMOTOR". Refere-se o presente invento a um automatizador da luz alta de veículos automotor com a finalidade de eliminas o trabalho mecânico de acionamento do comutador da luz alta e a eventual negligência do motorista, sendo realizada pelo automatizador da luz alta, elimina assim a possibilidade de veículos cruzarem em auto estrada com luz alta. A distância entre veículos para o acionamento do automatizador da luz alta, dependerá da regulagem dos faróis. Pois, a distância é diretamente proporcional a altura do farol baixo. Quanto mais voltado para pista de rolamento estiver o farol baixo, menor será a distância entre os dois veículos (em cruzamento) para acionar o automatizador da luz alta. Quanto mais alto estiver regulado o farol baixo (limite padrão) maior será a distância entre os dois veículos (em cruzamento), esta distância dependerá também da potência dos faróis, sendo que a sensibilidade da fotocélula é de 10 lux. Sendo os faróis de alta potência e a regulagem ideal a distância para o acionamento da fotocélula será igualmente ideal, ou seja, em condição ideal de cruzamento, sem sacrifício visual de ambas os condutores, sendo constituído de Rd1 (relé - 12V Nac2__10A~250V), acionar por meio de sua operação os comandos C1 e C2, D1 (diodo semicondutor - 1n4148), amortecer os efeitos elétricos provocados pela reação da bobina de RD1, T1 (Transistor semicondutor NPN 2N 708 elemento ativo de comutação), T2 (Transistor semicondutor NPN 2N 708 elemento ativo de comutação), R1 (Potenciômetro - 100 KR, compõe circuito de Polarização de T1, R2 (Resistor 10kr/1/8w) compõe circuito de polarização de T1, R3 (Resistor 3,9kr/1/4w), compõe circuito de polarização de T2 e LDR (célula fotosensível 10 lux - mínimo).

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento - Art. 33 da LPI

#11.1

18/09/2001

RPI 1602

Publicação do pedido de patente

#3.1

12/05/1998

RPI 1429

Pedido de patente depositado

#2.1

12/02/1997

RPI 1367

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