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Dado oficial do INPI

PROCESSO PARA A PRODUÇÃO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA.

IndeferidaPatente de InvençãoPCT · JP1995001407

Dados do pedido

Número

PI9510622

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

14/07/1995

Publicação

12/01/1999

PCT

JP1995001407

Andamento no INPI

Em recurso
  1. Depósito14/07/95
  2. Publicação12/01/99
  3. Exame
  4. Indeferido30/03/04
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido indeferido pelo INPI em 30/03/2004. A invenção não chegou a ser patenteada.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 30/03/2004. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

S. C. (pessoa física)

JP

S. K. (pessoa física)

JP

Inventores

H. S. (pessoa física)

JP

H. F. (pessoa física)

JP

J. Z. (pessoa física)

JP

K. I. (pessoa física)

JP

R. O. (pessoa física)

JP

Dados técnicos

Classificação IPC

Resumo técnico

PROCESSO PARA A PRODUÇÃO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA. A invenção fornece um processo para a produção de silício de alta pureza de graduação solar a um baixo custo para fornecimento de silício de graduação solar barato. O processo compreende as etapas de: (a) misturar o silício cru com silicato de cálcio a uma temperatura de pelo menos 1544°C para o preparo de uma mistura de fusão e fazer com que o boro no silício emigre para o interior da escória de silicato de cálcio, (b) deixar com que a mistura resultante da etapa (a) permaneça em uma atmosfera de gás inerte para separar a mistura em uma camada inferior de escória e uma camada superior de silício fundido e posteriormente manter o silício em um estado de fusão enquanto solidificando a escória a uma temperatura de 1410 até 1544°C, (c) imergir um corpo de resfriamento 2 no silício fundido obtido pela etapa (b) para fazer com que o silício altamente purificado cristalize-se fora e deposite-se em uma superfície externa do corpo de resfriamento em uma atmosfera de gás inerte, retirando posteriormente o corpo de resfriamento 2 a partir do silício fundido e removendo um bloco S de silício de alta pureza, cristalizando-se fora do corpo de resfriamento 2, e (d) fundindo o silício de alta pureza obtido pela etapa (c) novamente, e tratando posteriormente o silício fundido resultante em um vácuo para evaporar o fósforo a fósforo a partir do silício de alta pureza para desfosforização.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Indeferimento

#9.2

Indeferido o presente pedido com base no Art. 8 combinado com o Art. 37 da Lei 9279 da LPI.

30/03/2004

RPI 1734

Transferência deferida

#25.1

Transferido de: Showa Aluminum Corporation

25/02/2004

RPI 1729

Conhecimento de parecer técnico

#7.1

25/09/2001

RPI 1603

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

12/01/1999

RPI 1462

Monitoramento de patentes

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