ESTRUTURA DE CIRCUITO E AMPLIFICADOR DE ENERGIA DE ALTA FREQUÊNCIA

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

Patente de Invenção: "ESTRUTURA DE CIRCUITO AMPLIFICADOR DE ENERGIA DE ALTA FREQUÊNCIA". Um amplificador de rádio frequência (22) inclui um chip de múltiplos FETs (26) que é montado em flip sobre uma região de ligação (32) de um substrato (30). Uma rede (62, 64) de conjugação de impedância de entrada é também montada sobre o substrato. A rede inclui uma guia de onda coplanar (24) que tem um condutor de sinal de guia de onda alongado (48b, 48c) para cada terminal de porta (70) sobre o chipe FET (26) com uma extremidade distal (48d, 48c) afastada da região de ligação (32) e uma extremidade proximal (38g, 48h) na região de ligação. Um capacitor (54, 56) acopla cada uma das extremidades distais (48d, 48c) do condutor de sinal de entrada a um condutor de terra adjacente (36, 38). Os condutores de sinal (48b, 48c) e capacitores (54, 56) proporcionam uma impedância selecionada a uma frequência selecionada. Uma guia de onda coplanar de saída (28) inclui, para cada terminal de dreno (72), um condutor de sinal de saída (88) que tem uma extremidade (82a) na região de ligação (32) que é eletricamente ligada ao chip de FET (26) montado em flip. Essa guia de onda (28) tem um comprimento selecionado de modo a obter-se a correspondência por impedância e pode ter outros meios de correspondência por impedância.