Dado oficial do INPI

PROCESSO DE PRODUZIR UMA PELÍCULA DE UM SEMICONDUTOR DE COMPOSTO DO GRUPO II-VI DOPADO COM NITROGÊNIO

ArquivadaPatente de InvençãoPCT · JP1995000854

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Dados do pedido

Número

PI9506254

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

28/04/1995

Publicação

16/04/1996

PCT

JP1995000854

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Andamento no INPI

Depósito28/04/95
Publicação16/04/96
Arquivado
Deferimento
Concessão
Em vigor

Pedido arquivado: a exigência técnica do INPI não foi cumprida no prazo (art. 36 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 29/03/2005. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

S. C. (pessoa física)

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Inventores

H. T. (pessoa física)

H. O. (pessoa física)

K. T. (pessoa física)

M. N. (pessoa física)

M. I. (pessoa física)

S. I. (pessoa física)

S. T. (pessoa física)

Dados técnicos

Classificação IPC

H01L 21/363

Prioridades unionistas

P06-127634 · 09/06/1994

Resumo técnico

Patente de Invenção "PROCESSO DE PRODUZIR PELÍCULA DE UM SEMICONDUTOR DE UM COMPOSTO DO GRUPO II-VI DOPADO COM NITROGÊNIO." Uma película de um semicondutor de um composto o grupo II-VI de pelo menos um de elementos pertencentes ao grupo II da tabela periódica e pelo menos um de elementos pertencentes ao grupo IV da tabela periódica é depositada sobre um substrato. Quando o filme é depositado sobre o substrato, uma plasma de nitrogênio em um estado excitado é aplicado ao substrato enquanto removendo as partículas carregadas do dito plasma por um dipositivo removedor de partículas carregadas. A película depositada de um semicondutor de um composto do grupo II-VI dopado com nitrogênio tem uma porcentagem aumentada de átomos de nitrogênio ativados e cristalinidade aperfeiçoada.