Dado oficial do INPI

ESTRUTURA SEMICONDUTORA LATERAL PARA A CONFIGURAÇÃO DE UMA LIMITAÇÃO DE TENSÃO COMPENSADA PELA TEMPERATURA

ArquivadaPatente de InvençãoPCT · DE1995000814

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Dados do pedido

Número

PI9506027

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

22/06/1995

Publicação

14/10/1997

PCT

DE1995000814

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Andamento no INPI

Depósito22/06/95
Publicação14/10/97
Exame
Deferimento09/11/04
Arquivado
Em vigor

Pedido deferido em 09/11/2004, mas arquivado por falta do pagamento da concessão (art. 38 da LPI). A carta-patente nunca foi emitida.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 28/06/2005. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

Robert Bosch GmbH

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Inventores

A. G. (pessoa física)

Dados técnicos

Classificação IPC

H01L 29/868

Prioridades unionistas

P 44 23 619.0 · 06/07/1994

Resumo técnico

Patente de Invenção: "ESTRUTURA SEMICONDUTORA LATERAL PARA A CONFIGURAÇÃO DE UMA LIMITAÇÃO DE TENSÃO COMPENSADA PELA TEMPERATURA". Segundo a invenção, propõe-se uma estrutura semicondutora lateral com um diodo "punchthrough" para a formação de uma limitação de tensão compensada pela temperatura na qual, por uma disposição lateral de áreas preferivelmente anelares em volta de uma tina base, é reduzida a resistência de carga espacial. Isto se consegue pelo fato de que as áreas preferivelmente anelares são dispostas com uma determinada dotação assim como com uma determinada distância em relação à tina base. Utilizando o efeito "punchthrough" e de avalancha obtém-se uma tensão de ruptura mais elevada já que a resitência de carga espacial é reduzida em função da disposição selecionada.