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Dado oficial do INPI

Processo para fabricar um polissilício com uma resistência de folha uniforme, e, Processo para fabricar um elemento aquecedor

ExtintaPatente de Invenção

Dados do pedido

Número

PI9304491

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

04/11/1993

Publicação

10/05/1994

Andamento no INPI

  1. Depósito04/11/93
  2. Publicação10/05/94
  3. Exame08/10/96
  4. Deferimento02/06/98
  5. Concessão24/11/98
  6. Extinto30/03/21

Patente concedida em 24/11/1998 e depois extinta em 30/03/2021. A proteção terminou antes do prazo e a tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 30/03/2021. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

X. C. (pessoa física)

US

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Inventores

C. B. (pessoa física)

US

D. B. (pessoa física)

US

K. K. (pessoa física)

US

R. P. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

US

07/972,277 · 05/11/1992

Resumo técnico

Os resistores de elementos aquecedores são formados por deposição de vapor química de silício policristalino em pelo menos um dentre um perfil de temperatura plano e um perfil de temperatura em rampa de 620 graus C a 640 graus C em uma primeira concretização. Um processo dessa natureza de formação do polissilício resulta em uma dimensão de grão predominantemente uniforme de aproximadamente 1000 angstrom, onde a dimensão de grão pode variar entre 200 angstrom a 1000 angstrom. Alternativamente, os resistores são formados por deposição de vapor química de polissilício amorfo em pelo menos um dentre um perfil de temperatura plano a uma temperatura abaixo de 580 graus C e um perfil de temperatura em rampa de 565 graus C a 575 graus C. Na concretização alternativa, o polissilício tem uma dimensão de grão de pelo menos 1000 angstrom. Durante a implantação iônica de dopantes quer do tipo-p quer do tipo-n no polissilício, um canhão aspersor localizado em um implantador de íons emite elétrons de baixa energia para neutralizar o acúmulo de cargas negativas sobre a superfície do polissilício. Devido aos elétrons de baixa energia prevenirem o acúmulo de cargas positivas sobre a superfície do polissilício, o acúmulo usual de um campo elétrico sobre a superfície do polissilício é eliminado, e o polissilício pode ser uniformemente dopado por implantação iônica de dopantes. Utilizando o canhão aspersor durante a fabricação dos elementos aquecedores da cabeça impressora, os resistores dos elementos aquecedores e cabeças impressoras tem resistências de folha substancialmente uniformes entre si. As resistências de folha dos resistores na cabeça impressora variam menos de 3% e de preferência menos de 1%. As ditas baixas variações em resistência de folha previnem subtensão e sobretensão de serem aplicadas aos resistores e prolonga a vida útil do elemento aquecedor e assim, da cabeça impressora.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Manutenção da Extinção - Art. 78 inciso IV da LPI

#24.10

Em virtude da extinção publicada na RPI 2606 de 15-12-2020 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantida a extinção da patente e seus certificados, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.

30/03/2021

RPI 2621

Extinção para fins de restauração (art. 87)

#21.6

Referente às 10ª, 11ª, 12ª, 13ª, 14ª, 15ª, 16ª e 17ª anuidades.

15/12/2020

RPI 2606

24.6

Anulada a publicação código 24.8 na RPI nº 2277 de 26/08/2014 por ter sido indevida.

08/12/2020

RPI 2605

24.8

26/08/2014

RPI 2277

24.3

referente a 10ª,11ª,12ª,13ª,14ª,15ª, 16ª e 17ª anuidades

14/09/2010

RPI 2071

Concessão da patente

#16.1

24/11/1998

RPI 1455

Republicação - classificação IPC

#15.11

Alterada a classificação para Int.Cl.6 H01L 21/34, B41J 2/16

02/06/1998

RPI 1432

Deferimento

#9.1

02/06/1998

RPI 1432

Solicitação de exame técnico

#4.1

08/10/1996

RPI 1349

Publicação do pedido de patente

#3.1

10/05/1994

RPI 1223

Pedido de patente depositado

#2.1

01/02/1994

RPI 1209

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