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Dado oficial do INPI

PROCESSO DE FORMAÇÃO DE UM DISPOSITIVO DE COMUTAÇÃO LIMITED E DISPOSITIVO DE COMUTAÇÃO

Arquivada/ExtintaPatente de Invenção

Dados do pedido

Número

PI9201622

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

30/04/1992

Publicação

15/12/1992

Andamento no INPI

  1. Depósito30/04/92
  2. Publicação15/12/92
  3. Arquivado18/05/93
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 16/05/2000. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

D. C. (pessoa física)

US

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Inventores

K. M. (pessoa física)

US

U. P. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

US

694.721 · 02/05/1991

Resumo técnico

Esta invenção refere-se a um processo de formação de um dispositivo de comutação limite que exibe resistência diferencial negativa e aos dispositivos formado pelo dito processo. O processo compreende deposição de um filme de dióxido de silício derivado de resina hidrogeno silsesquioxano entre pelo menos dois elétrodos e então aplicação de voltagem acima de uma voltagem limite através dos elétrodos.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente a 3ª, 4ª, 5ª, 6ª, 7ª e 8ª anuidade

16/05/2000

RPI 1532

8.1

Referente a 3ª,4ª, 5ª e 6ª anuidade.

29/12/1998

RPI 1460

Solicitação de exame técnico

#4.1

18/05/1993

RPI 1172

Publicação do pedido de patente

#3.1

15/12/1992

RPI 1150

Pedido de patente depositado

#2.1

02/06/1992

RPI 1122

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