Arquivamento por falta de pagamento
#8.6
Referente a 3ª, 4ª, 5ª, 6ª, 7ª e 8ª anuidade
16/05/2000
RPI 1532
Dados do pedido
Número
PI9201622Tipo
Depósito
Publicação
Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 16/05/2000. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
D. C. (pessoa física)
US
Inventores
K. M. (pessoa física)
US
U. P. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
694.721 · 02/05/1991
Resumo técnico
Esta invenção refere-se a um processo de formação de um dispositivo de comutação limite que exibe resistência diferencial negativa e aos dispositivos formado pelo dito processo. O processo compreende deposição de um filme de dióxido de silício derivado de resina hidrogeno silsesquioxano entre pelo menos dois elétrodos e então aplicação de voltagem acima de uma voltagem limite através dos elétrodos.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#8.6
Referente a 3ª, 4ª, 5ª, 6ª, 7ª e 8ª anuidade
16/05/2000
RPI 1532
Referente a 3ª,4ª, 5ª e 6ª anuidade.
29/12/1998
RPI 1460
#4.1
18/05/1993
RPI 1172
#3.1
15/12/1992
RPI 1150
#2.1
02/06/1992
RPI 1122
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