Publicação do pedido de patente
#3.1
17/02/1988
RPI 904
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Dado oficial do INPI
MÉTODO DE CRESCIMENTO TÉRMICO DE UMA CAMADA DE DIÓXIDO DE SILÍCIO E PROCESSO DE FORMAÇÃO DE PAREDES LATERAIS DE TRINCHEIRAS DE ISOLAMENTO POR OXIDAÇÃO DE SILÍCIO POLICRISTALINO
PublicadaPatente de Invenção
Dados do pedido
Número
PI8702320Tipo
Patente de Invenção
Depósito
06/05/1987
Publicação
17/02/1988
Andamento no INPI
- Depósito06/05/87
- Publicação17/02/88
- Exame25/09/90
- Deferimento07/06/94
- Concessão29/11/94
- Expirado29/07/08
Carta-patente expirada em 29/07/2008: o prazo de proteção chegou ao fim. A tecnologia está em domínio público e pode ser explorada livremente no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 17/02/1988. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
I. C. (pessoa física)
US
Inventores
A. S. (pessoa física)
US
A. S. (pessoa física)
US
I. F. (pessoa física)
US
J. M. (pessoa física)
US
V. N. (pessoa física)
US
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Pedido de patente depositado
#2.1
04/08/1987
RPI 876
Carta-patente expirada
#21.1
Patente extinta em 06/05/2002
29/07/2008
RPI 1960
Concessão da patente
#16.1
29/11/1994
RPI 1252
Deferimento
#9.1
07/06/1994
RPI 1227
6.2
28/09/1993
RPI 1191
Solicitação de exame técnico
#4.1
25/09/1990
RPI 1034
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