Concessão da patente
#16.1
24/10/1989
RPI 992
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Dado oficial do INPI
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO SELETIVO A ÍON (ISFET), PROCESSO PARA PROPORCIONAR CONTATO ELÉTRICO A UMA REGIÃO DE FONTE E REGIÃO DE DRENO DE UM ISFET, SONDA DE ISFET, E SENSOR DE PH DE ISFET.
ConcedidaPatente de Invenção
Dados do pedido
Número
PI8406314Tipo
Patente de Invenção
Depósito
10/12/1984
Publicação
08/10/1985
Andamento no INPI
- Depósito10/12/84
- Publicação08/10/85
- Exame17/06/86
- Deferimento28/06/88
- Concessão24/10/89
- Expirado08/07/08
Carta-patente expirada em 08/07/2008: o prazo de proteção chegou ao fim. A tecnologia está em domínio público e pode ser explorada livremente no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 24/10/1989. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
G. C. (pessoa física)
US
Honeywell Inc.
US
Inventores
R. B. (pessoa física)
US
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
559.513 · 08/12/1983
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Notificação para pagamento de retribuição
#13.1
25/10/1988
RPI 940
Deferimento
#9.1
28/06/1988
RPI 923
Solicitação de exame técnico
#4.1
17/06/1986
RPI 817
Publicação do pedido de patente
#3.1
08/10/1985
RPI 781
Pedido de patente depositado
#2.1
26/02/1985
RPI 749
Republicação - classificação IPC
#15.11
Procedimento automático de reclassificação. As classificações IPC anteriores eram: H01L 29/76; G01N 27/56.
27/03/2018
RPI 2464
Carta-patente expirada
#21.1
Patente extinta em 10/12/99
08/07/2008
RPI 1957
Transferência deferida
#25.1
Transferido de: General Signal Corporation
10/11/1998
RPI 1453
131
15/01/1991
RPI 1050
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