10.1
Homologada a desistência do pedido solicitada através da petição N° 870160047305 de 26/08/2016.
20/09/2016
RPI 2385
Dados do pedido
Número
PI1103752Tipo
Depósito
Publicação
O próprio depositante desistiu do pedido. O processo foi encerrado sem chegar a patente.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 20/09/2016. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
L. B. (pessoa física)
SP, BR
Inventores
L. B. (pessoa física)
BR
Classificação IPC
Resumo técnico
PROCESSO DE IMPLANTAÇÃO IÔNICA POR IMERSÃO A PLASMA. Idealizada por um método para tratamento superficial que pode ser aplicado nos mais diversos tipos de materiais, desde metais, semicondutores, até dielétricos, pertencente ao campo dos artigos para tratamento de superficies de materiais; o inconveniente dos processos normalmente empregados no tratamento de superfícies de peças de aço por meio de banho de sais ou imersão em gás amônia sob alta pressão é o fato de que são tóxicos e de manuseio perigosos, sem mencionar que são problemáticos do ponto de vista ambiental, porque geram resíduos de alta periculosidade, como o banho de cianeto; a fim de solucionar esses inconvenientes foi desenvolvido o objeto do presente pedido de patente, denominado de processo de implantação iônica por imersão a plasma, compreendido por um tratamento por íons, o qual pode-se aplicar em vários ramos das atividades industriais e em vários tipos de materiais que sofram um desgaste por atrito; que necessitam de uma dureza para um aumento na vida útil da peça.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Homologada a desistência do pedido solicitada através da petição N° 870160047305 de 26/08/2016.
20/09/2016
RPI 2385
#15.11
As classificações anteriores eram: C23C 14/40; C23C 4/10
16/08/2016
RPI 2380
#3.2
28/08/2012
RPI 2173
#2.1
17/04/2012
RPI 2154
#2.10
Número de Protocolo 18110032866 em 24/08/2011 03:57(SP).
17/01/2012
RPI 2141
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Monitoramento de patentes
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