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Dado oficial do INPI

FOTODETECTOR UTILIZANDO FILMES DE DIÓXIDO DE ESTANHO NANOESTRUTURADO E SEU MÉTODO DE FABRICAÇÃO

ArquivadaPatente de Invenção

Dados do pedido

Número

PI1003418

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

14/09/2010

Publicação

11/08/2015

Andamento no INPI

  1. Depósito14/09/10
  2. Publicação11/08/15
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado: a exigência técnica do INPI não foi cumprida no prazo (art. 36 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 17/03/2020. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

U. B. (pessoa física)

BA, BR

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Inventores

A. B. (pessoa física)

BR

A. O. (pessoa física)

BR

F. C. (pessoa física)

BR

M. F. (pessoa física)

BR

N. M. (pessoa física)

BR

Dados técnicos

Resumo técnico

FOTODETECTOR UTILIZANDO FILMES DE DIÓXIDO DE ESTANHO NANOESTRUTURADO E SEU MÉTODO DE FABRICAÇÃO Em um primeiro aspecto, a presente invenção trata da obtenção de um filme nanoestruturado de dióxido de estanho por meio da técnica de pulverização química assistida por temperatura, cuja propriedade da fotossensibilidade da resistência elétrica do filme para o espectro de luz visível é condicionada, utilizando-se um circuito eletrônico microcontrolado, para desenvolver as funcionalidades de um fotodetector. Os filmes de dióxido de estanho nanoestruturado são depositados utilizando-se uma solução de pulverização foi feita a partir da diluição de tetracloreto de estanho pentahidratado (SnCl4.5H20) em álcool etílico (C2HsOH); a solução é pulverizada a um fluxo de nitrogênio com pressão e temperatura controladas. Em um segundo aspecto, a invenção se refere a um circuito condicionador da propriedade de fotossensibilidade da resistência elétrica do filme, o qual consiste em um circuito em ponte em conjunto com um filtro "passa-baixa", utilizado para converter a variação da resistência elétrica do filme de dióxido de estanho nanoestruturado em um sinal de tensão elétrica. Em um terceiro aspecto, a invenção se refere ao desenvolvimento de um fotodetector com uma maior sensibilidade no espectro de luz visível quando comparados aos fotodetectores comerciais por utilizar o referido filme de dióxido de estanho nanoestruturado depositado segundo a técnica da presente invenção, devido à propriedade da fotossensibilidade da resistência elétrica do filme

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI

#11.2

17/03/2020

RPI 2567

Exigência preliminar (variante)

#6.22

22/10/2019

RPI 2546

8.7

10/09/2019

RPI 2540

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente à 9ª anuidade.

09/07/2019

RPI 2531

Notificação de acesso ao patrimônio genético

#6.6.1

10/04/2018

RPI 2466

8.7

11/04/2017

RPI 2414

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

referente ao despacho 8.5 na RPI 2336 de 13/10/2015

07/02/2017

RPI 2405

8.5

Complementar a retribuição da(s) 5a. anuidade(s), de acordo com tabela vigente, referente à(s) guia(s) de recolhimento 22140948868-8.

13/10/2015

RPI 2336

Publicação do pedido de patente

#3.1

11/08/2015

RPI 2327

Pedido de patente depositado

#2.1

24/05/2011

RPI 2107

Monitoramento de patentes

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