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Dado oficial do INPI

DISPOSITIVO SEMICONDUTOR EMPILHADO EM 3D, MÉTODO DE CONSTRUÇÃO DO MESMO E MÉTODO PARA PROTEÇÃO CONTRA DESCARGA ELETROSTÁTICA EM DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES EMPILHADOS EM 3D

ConcedidaPatente de InvençãoPCT · US2009055620

Dados do pedido

Número

PI0918915

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

01/09/2009

Publicação

14/02/2018

PCT

US2009055620

Andamento no INPI

  1. Depósito01/09/09
  2. Publicação14/02/18
  3. Exame
  4. Deferimento
  5. Concessão27/01/26
  6. Em vigor01/09/29

Patente concedida em 27/01/2026 e em vigor até 01/09/2029. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:01/09/2029

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Última movimentação publicada pelo INPI: 27/01/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

Q. I. (pessoa física)

US

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Inventores

K. K. (pessoa física)

US

M. N. (pessoa física)

US

S. G. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Prioridades unionistas

US

12/206,914 · 09/09/2008

Resumo técnico

SISTEMAS E MÃTODOS PARA HABILITAR PROTEÃÃO DE ESD EM DISPOSITIVOS EMPILHADOS EM 3D. Trata-se de um dispositivo de proteção de descarga eletrostática (ESD) que é fabricado em um espaço vertical entre as camadas ativas de pastilha semicondutoras empilhadas, utilizando, assim, o espaço que seria por outro lado usado apenas para propósitos de comunicação. A área de superfície vertical das vias através do silício (TSVs, Through Silicon Vias) é usada para absorver grandes tensões que resultam de eventos de ESD. Em uma modalidade, um diodo de ESD é criado em uma TSV vertical entre as camadas ativas das pastilhas semicondutoras de um dispositivo empilhado. Este diodo de ESD pode ser compartilhado pelo conjunto de circuitos em ambas as pastilhas semicondutoras da pilha, economizando, assim, o espaço e reduzindo a área de pastilha exigida pelo conjunto de circuitos de proteção de ESD.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Concessão da patente

#16.1

Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 01/09/2009, observadas as condições legais. Patente concedida conforme ADI 5.529/DF, que determina a alteração do prazo de concessão.

27/01/2026

RPI 2873

100.1

Recurso conhecido e provido. Reformada a decisão recorrida e deferido o pedido. Desta data corre o prazo de 60 (sessenta) dias para o pagamento da retribuição para expedição da Carta-Patente. [100.1] Recurso conhecido e provido. Reformada a decisão recorrida e deferido o pedido. O INPI irá expedir a carta-patente gratuitamente após a decisão.Transição: Nos deferimentos a partir de 21/09/2025, o I

13/01/2026

RPI 2871

121

Recorrente: O depositante.@ Despacho: Cumpra as exigências do parecer no prazo de 60 (sessenta) dias. [121]

04/11/2025

RPI 2861

Petição de recurso

#12.2

Recurso: 870210005426 - 15/01/2021

26/01/2021

RPI 2612

Indeferimento

#9.2

17/11/2020

RPI 2602

Conhecimento de parecer técnico

#7.1

14/04/2020

RPI 2571

Conhecimento de parecer técnico

#7.1

18/06/2019

RPI 2528

6.20

29/01/2019

RPI 2508

Notificação de acesso ao patrimônio genético

#6.6.1

22/01/2019

RPI 2507

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

14/02/2018

RPI 2458

Alteração de dados cadastrais

#1.1

29/11/2011

RPI 2134

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