Concessão da patente
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 21/09/2009, observadas as condições legais
17/09/2019
RPI 2541
Dados do pedido
Número
PI0913752Tipo
Depósito
Publicação
PCT
IB2009054134 Patente concedida em 17/09/2019 e em vigor até 21/09/2029. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:21/09/2029
Última movimentação publicada pelo INPI: 17/09/2019. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
K. V. (pessoa física)
NL
K. V. (pessoa física)
NL
LUMILEDS HOLDING B.V.
NL
LUMILEDS LLC
US
PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY LLC
US
Inventores
M. M. (pessoa física)
US
M. K. (pessoa física)
US
Prioridades unionistas
US
12/236,853 · 24/09/2008
Resumo técnico
MÃTODO, DISPOSITIVO, E, ESTRUTURAUma pluralidade de estruturas semicondutoras de nitreto-III, cada uma compreendendo uma camada emissora de luz disposta entre uma região do tipo-n e uma região do tipo-p, é crescida em um substrato composto. O substrato composto inclui uma pluralidade de ilhas de material de nitreto-III conectado a um hospedeiro pela camada de ligação. A pluralidade de estruturas semicondutoras de nitreto-III é crescida nas ilhas de nitreto-III. O substrato composto pode ser formado de maneira tal que cada ilha de material de nitreto-III é relaxada pelo menos parcialmente. Como resultado, a camada emissora de luz de cada estrutura semicondutora é dotada de uma constante de rede-a maior do que 3,19 angstroms.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 21/09/2009, observadas as condições legais
17/09/2019
RPI 2541
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