Concessão da patente
#16.1
20 (vinte) anos contados a partir de 02/12/2009, observadas as condições legais
30/04/2019
RPI 2521
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Dado oficial do INPI
APERFEIÇOAMENTO EM ESTRUTURA DE TRANSISTOR DO GÊNERO MOSFET
ConcedidaPatente de InvençãoDocumento oficial disponível
Dados do pedido
Número
PI0905289Tipo
Patente de Invenção
Depósito
02/12/2009
Publicação
19/07/2011
Carta-patente disponível
Temos o documento oficial completo deste processo, publicado pelo INPI.
Acessar documentoAndamento no INPI
- Depósito02/12/09
- Publicação19/07/11
- Exame
- Deferimento02/04/19
- Concessão30/04/19
- Em vigor02/12/29
Patente concedida em 30/04/2019 e em vigor até 02/12/2029. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:02/12/2029
Última movimentação publicada pelo INPI: 30/04/2019. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
FUNDAÇÃO EDUCACIONAL INACIANA "PE. SABÓIA DE MEDEIROS"
SP, BR
Inventores
S. G. (pessoa física)
BR
Dados técnicos
Classificação IPC
Resumo técnico
APERFEIÇOAMENTO EM ESTRUTURA DE TRANSISTOR DO GÉNERO MOSFET, que usa uma geometria com formato circular para definir as interfaces entre Dreno/Canal e Canal/Fonte para enriquecer o campo elétrico paralelo ou longitudinal decorrente da polarização entre Dreno e Fonte; sendo dita estrutura de transistor aplicada a quaisquer tecnologias planares, tais como "Bipolar", "JFET", "MOSFET", "SOl MOSFET", e não planares tais como "FinFET", Multi-Gates, Cynthia e Pilar Surrounding Gate entre outras.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Deferimento
#9.1
02/04/2019
RPI 2517
Conhecimento de parecer técnico
#7.1
18/12/2018
RPI 2502
Publicação do pedido de patente
#3.1
19/07/2011
RPI 2115
Pedido de patente depositado
#2.1
27/07/2010
RPI 2064
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