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Dado oficial do INPI

ESTRUTURA DE TRANSISTOR DO GÊNERO MOSFET

ConcedidaPatente de InvençãoDocumento oficial disponível
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Dados do pedido

Número

PI0903005

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

28/08/2009

Publicação

10/05/2011

Carta-patente disponível

Temos o documento oficial completo deste processo, publicado pelo INPI.

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Andamento no INPI

  1. Depósito28/08/09
  2. Publicação10/05/11
  3. Exame
  4. Deferimento24/04/19
  5. Concessão21/05/19
  6. Em vigor28/08/29

Patente concedida em 21/05/2019 e em vigor até 28/08/2029. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:28/08/2029

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Última movimentação publicada pelo INPI: 21/05/2019. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

FUNDAÇÃO EDUCACIONAL INACIANA "PE. SABÓIA DE MEDEIROS"

SP, BR

Inventores

S. G. (pessoa física)

BR

Dados técnicos

Classificação IPC

H01L 29/06H01L 29/82

Resumo técnico

ESTRUTURA DE TRANSISTOR DO GÊNERO MOSFET. Do tipo que usa o efeito de canto para enriquecer o campo elétrico paralelo ou longitudinal decorrente da polarização entre Dreno e Fonte, sendo portanto aplicável a quaisquer tecnologias planares, tais como "Bipolar", "JFET", "MOSFET", "SOl MOSFEI", "FinFET", "Vertical/Cynthia Surroung-Gate MOSFET". Essa estrutura compreende a sobreposição de, pelo menos, três componentes de campo elétrico horizontal (longitudinal), gerados em cada interface das regiões entre Dreno/Canal e Canal/Fonte para gerar uma maior corrente de Dreno.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Concessão da patente

#16.1

20 (vinte) anos contados a partir de 28/08/2009, observadas as condições legais

21/05/2019

RPI 2524

Deferimento

#9.1

24/04/2019

RPI 2520

Conhecimento de parecer técnico

#7.1

18/12/2018

RPI 2502

Publicação do pedido de patente

#3.1

10/05/2011

RPI 2105

Pedido de patente depositado

#2.1

15/12/2009

RPI 2032

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