CÉLULA FOTOVOLTAICA DE SILÍCIO CRISTALINO COM EMISSOR SELETIVO PRODUZIDA COM PROCESSO DE RETROATAQUE DE PRECISÃO EM BAIXA TEMPERATURA E DE PASSIVAÇÃO

Classificação IPC

Resumo técnico

CÃLULA FOTOVOLTAICA DE SILÃCIO CRISTALINO COM EMISSOR SELETIVO PRODUZIDA COM PROCESSO DE RETROATAQUE DE PRECISÃO EM BAIXA TEMPERATURA E DE PASSIVAÃÃO. A presente invenção refere-se a um processo de formar um emissor seletivo em uma placa semicondutora de silício cristalino fotovoltaica (PV) que envolve a formação de uma máscara sobre a superfície de um lado frontal da placa para criar áreas mascaradas e não mascaradas sobre a superfície do lado frontal. Uma primeira camada de óxido de silício é eletroquimicamente formada nas áreas não mascaradas da superfície do lado frontal, de tal modo que a camada de óxido de silício se estenda para o interior de um emissor da placa pelo menos até uma zona morta no seu interior. A máscara é removida e a primeira camada de óxido de silício é retroatacada até substancialmente a totalidade da primeira camada de óxido de silício ser removida. Uma segunda camada de óxido de silício é então eletroquimicamente formada sobre a superfície do lado frontal, de tal maneira que a segunda camada de óxido de silício tenha espessura suficiente para passivar a superfície do lado frontal. O processo pode alternativamente envolver a formação de um emissor pela difusão de um dopante através de uma primeira camada de óxido de silício eletroquimicamente formada nas áreas não mascaradas de uma placa semicondutora de silício cristalino PV desprovida de junção semicondutora e a seguir retroatacar a primeira camada de óxido de silício e passivar com uma segunda camada de óxido de silício eletroquimicamente formada.