DISPOSITIVO SEMICONDUTOR QUE TEM REGIÕES DE FONTE/DRENO EPITAXIAIS SEM PONTA

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

DISPOSITIVO SEMICONDUTOR QUE TEM REGIÃES DE FONTE/DRENO EPITAXIAIS SEM PONTA.A presente invenção refere-se a um dispositivo semicondutor que tem regiões de fonte/dreno epitaxiais sem ponta e um método para sua formação. Em uma modalidade, o dispositivo semicondutor compreende uma pilha de portas em um substrato. A pilha de portas é composta de um eletrodo de porta acima de uma camada dielétrica de porta e está acima de uma região de canal no substrato. O dispositivo semicondutor também compreende um par de regiões de fonte/dreno no substrato em qualquer dos dois lados da região do canal. O par de regiões de fonte/dreno está em contato direto com a camada dielétrica de porta e a constante de estrutura molecular do par das regiões de fonte/dreno é diferente da constante de estrutura molecular da região do canal. Em uma modalidade, o dispositivo semicondutor é formado pelo uso de um marcador de posição da pilha de portas dielétricas.