MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE TIPO SILÍCIO SOBRE ISOLANTE ESTRESSADO TENDO REGIÕES DE DISPOSITIVO DE TENSÃO E DE COMPRESSÃO, TRANSISTOR E ESTRUTURA RESULTANTES.

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

MÃTODO DE FABRICAÃÃO DE TRANSITOR DE EFEITO DE CAMPO DO TIPO SILÃCIO SOBRE ISOLANTE ESTRESSADO TENDO REGIÃES DE DISPOSITIVO DE TENSÃO E DE COMPRESSÃO, TRANSITOR E ESTRUTURA RESULTANTESUm métodos é forneciddo para a afabricação de um transitor efeito de campo tendo uma região de canal em uma camada isolante-semiconndutora de um substrato SOI (silício sobre isolante). De preferência, nesse método, uma camada de estresse de sacrifício é formada para recobrir uma primeira parte de uma região semicondutora ativa, mas não recobrir a segunda região semicondutora ativa que partilha uma fronteira comum com a primeira parte. Depois de se formar trincheiras na camada SOI, o substrato SOI é aquecido suficientemente com a camada estressada sobre a mesma, para causar o amolecimento da camada estressada, fazendo assim com que a camada estressda aplique um primeiro estresse na primeira parte e aplique um segundo estresse na segunda parte. Por exemplo, quando o primeiro estresse for de tensão, o segundo estresse será de compressão, ou o primeiro estresse pode ser de compressão quando o segundo stress dor de tensão.