Concessão da patente
#16.1
11/09/2018
RPI 2488
Dados do pedido
Número
PI0802745Tipo
Depósito
Publicação
Carta-patente disponível
Temos o documento oficial completo deste processo, publicado pelo INPI.
Acessar documentoPatente concedida em 11/09/2018 e em vigor até 07/08/2028. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:07/08/2028
Última movimentação publicada pelo INPI: 11/09/2018. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
FUNDAÇÃO EDUCACIONAL INACIANA "PE SABÓIA DE MADEIROS"
SP, BR
Inventores
M. B. (pessoa física)
BR
S. G. (pessoa física)
BR
Classificação IPC
Resumo técnico
APERFEIÇOAMENTO EM TRANSISTOR. Onde as interfaces de fonte/dreno e o filme de silício serem compostas de duas partes planares que formam um ângulo entre si na faixa de O e 180 graus, configurando meios para aumentar o campo lateral decorrente da polarização entre dreno e fonte e, conseqúentemente, meios para aumentar a corrente de dreno, quando comparado às estruturas convencionais atualmente utilizadas, considerando uma mesma razão de aspecto (W/L), sob as mesmas condições de polarização e utilizando uma mesma tecnologia.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#16.1
11/09/2018
RPI 2488
#9.1
17/07/2018
RPI 2480
#6.1
13/03/2018
RPI 2462
#3.1
23/03/2010
RPI 2046
#2.1
16/12/2008
RPI 1980
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