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Dado oficial do INPI

APERFEIÇOAMENTO EM TRANSISTOR

ConcedidaPatente de InvençãoDocumento oficial disponível

Dados do pedido

Número

PI0802745

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

07/08/2008

Publicação

23/03/2010

Carta-patente disponível

Temos o documento oficial completo deste processo, publicado pelo INPI.

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Andamento no INPI

  1. Depósito07/08/08
  2. Publicação23/03/10
  3. Exame
  4. Deferimento17/07/18
  5. Concessão11/09/18
  6. Em vigor07/08/28

Patente concedida em 11/09/2018 e em vigor até 07/08/2028. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:07/08/2028

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Última movimentação publicada pelo INPI: 11/09/2018. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

FUNDAÇÃO EDUCACIONAL INACIANA "PE SABÓIA DE MADEIROS"

SP, BR

Inventores

M. B. (pessoa física)

BR

S. G. (pessoa física)

BR

Dados técnicos

Classificação IPC

Resumo técnico

APERFEIÇOAMENTO EM TRANSISTOR. Onde as interfaces de fonte/dreno e o filme de silício serem compostas de duas partes planares que formam um ângulo entre si na faixa de O e 180 graus, configurando meios para aumentar o campo lateral decorrente da polarização entre dreno e fonte e, conseqúentemente, meios para aumentar a corrente de dreno, quando comparado às estruturas convencionais atualmente utilizadas, considerando uma mesma razão de aspecto (W/L), sob as mesmas condições de polarização e utilizando uma mesma tecnologia.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Concessão da patente

#16.1

11/09/2018

RPI 2488

Deferimento

#9.1

17/07/2018

RPI 2480

Exigência - art. 36 da LPI

#6.1

13/03/2018

RPI 2462

Publicação do pedido de patente

#3.1

23/03/2010

RPI 2046

Pedido de patente depositado

#2.1

16/12/2008

RPI 1980

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