Extinção — restauração
#21.2
14/07/2020
RPI 2584
Dados do pedido
Número
PI0709583Tipo
Depósito
Publicação
PCT
JP2007055296 Patente concedida em 29/05/2018 e depois extinta em 08/03/2027. A proteção terminou antes do prazo e a tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 14/07/2020. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
C. K. (pessoa física)
JP
Inventores
H. K. (pessoa física)
JP
T. I. (pessoa física)
JP
Classificação IPC
Prioridades unionistas
JP
2006-074630 · 17/03/2006
Resumo técnico
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO, DISPOSITiVO EXIBIDOR, E, MÉTODO PARA FABRICAR UM TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO. A presente invenção fornece um transistor de efeito de campo que inclui um filme de óxido como uma camada semicondutora, no qual o filme de óxido inclui uma de uma parte de fonte e uma parte de dreno à qual um dentre hidrogênio ou deutério é adicionado.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#21.2
14/07/2020
RPI 2584
REFERENTE A RPI 2473 DE 29/05/2018, QUANTO AO NOME DE UM DOS INVENTORES.
07/08/2018
RPI 2483
#16.1
29/05/2018
RPI 2473
#9.1
27/03/2018
RPI 2464
#6.1
21/11/2017
RPI 2446
#1.3
19/07/2011
RPI 2115
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