Retificação de publicação
#3.8
Referente à RPI 1971 de 14/10/2008, quanto ao item (54).
17/04/2018
RPI 2467
Dados do pedido
Número
PI0701478Tipo
Depósito
Publicação
Pedido publicado na RPI em 14/10/2008 e já visível a qualquer interessado. Segue para o exame técnico do INPI.
Última movimentação publicada pelo INPI: 17/04/2018. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
N. W. (pessoa física)
RS, BR
Inventores
N. W. (pessoa física)
BR
Classificação IPC
Resumo técnico
PROCESSO DE OBTENÇÃO DE FILMES FINOS IRIDESCENTES E POLICRISTALINOS E COMPOSTOS SÓLIDOS DE OXIDOS TIPO-PEROVSKITA (ARO~ 3~ E ARO~ 3~ .X) A BAIXAS TEMPERATURAS.A presente invenção propõe a preparação estequiométrica de filmes finos formados por áxidos tipo perovskita (ABO3 e ABO~ 3~ .X). Que em função das condições impostas pelo método formam filmes de mesma composição química, porém com características fisicas distintas: filmes iridescentes ou multicoloridos (Fl)(espessura de 240 nm ou menos) e filmes policristalinos ou transparentes (FP)(espessura de 40 nm ou menos).A mesma rota sintética pode ser utilizada para obtenção de compostos ou substancias sólidas dos áxidos tipo-perovskita (ABO3 ou ABO3. X). A solução precursora é obtida através de rota sintética específica, sendo depositada por processos de dip coating, spzn coa hing, deposição química por vapor (CVD) ou fisica (PVP), em temperaturas variando de 55°Ca 65°C, atmosfera inerte ou ambiente, seguido de anelamento (ou pirólise) a 155°C (FI) ou 350°C (FP). A presente metodologia requer temperaturas de deposição e anelamento mais baixas e processamento em atmosfera ambiente (1 atm), não requerendo equipamentos especiais para o controle de pressão, tais como bombas de vácuo e fluxo de gases, permitindo a deposição em substratos econômicos tais como vidros comerciais, plásticos, acrilicos, semi-condutores e metais. Formação de filmes finos (diâmetro de partícula em escala nanométrica) com aderéncia ao substrato, homogeneidade superficial dentro de padrões de qualidade e elevada constante dielétrica, podem ser utilizados como materiais dielétricos em capacitores, gravadores e leitores magneto-óticos (dispositivos de memória - RAM), sensores, moduladores de luz, detectores piroelétricos e chaves óticas, permitindo a miniaturização de equipamentos eletrônicos, tais como cân1eras digitais e telefones celulares. Filmes finos de titanato de bário com espessuras variando entre 10 e 240 nm, obtidos pela utilização da metodologia proposta por este invento, podem ser processados em plantas industriais, com viabilidade econômica maior comparativamente a métodos/processos existentes no mercado.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#3.8
Referente à RPI 1971 de 14/10/2008, quanto ao item (54).
17/04/2018
RPI 2467
#9.2.4
MANTIDO O INDEFERIMENTO UMA VEZ QUE NÃO FOI APRESENTADO RECURSO DENTRO DO PRAZO LEGAL.
17/05/2016
RPI 2367
#9.2
Indefiro o pedido de acordo com o(s) artigo(s) da LPI
05/01/2016
RPI 2348
#7.1
25/11/2014
RPI 2290
#3.1
14/10/2008
RPI 1971
#2.1
14/08/2007
RPI 1910
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Monitoramento de patentes
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