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Dado oficial do INPI

PROCESSO DE OBTENÇÃO DE FILMES FINOS IRIDESCENTES E POLICRISTALINOS E COMPOSTOS SÓLIDOS TIPO-PEROVSKITA (ABO3 E ABO3.X) A BAIXAS TEMPERATURAS

Em AnálisePatente de Invenção

Dados do pedido

Número

PI0701478

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

26/02/2007

Publicação

14/10/2008

Andamento no INPI

  1. Depósito26/02/07
  2. Publicação14/10/08
  3. Exame
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido publicado na RPI em 14/10/2008 e já visível a qualquer interessado. Segue para o exame técnico do INPI.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 17/04/2018. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

N. W. (pessoa física)

RS, BR

Inventores

N. W. (pessoa física)

BR

Dados técnicos

Resumo técnico

PROCESSO DE OBTENÇÃO DE FILMES FINOS IRIDESCENTES E POLICRISTALINOS E COMPOSTOS SÓLIDOS DE OXIDOS TIPO-PEROVSKITA (ARO~ 3~ E ARO~ 3~ .X) A BAIXAS TEMPERATURAS.A presente invenção propõe a preparação estequiométrica de filmes finos formados por áxidos tipo perovskita (ABO3 e ABO~ 3~ .X). Que em função das condições impostas pelo método formam filmes de mesma composição química, porém com características fisicas distintas: filmes iridescentes ou multicoloridos (Fl)(espessura de 240 nm ou menos) e filmes policristalinos ou transparentes (FP)(espessura de 40 nm ou menos).A mesma rota sintética pode ser utilizada para obtenção de compostos ou substancias sólidas dos áxidos tipo-perovskita (ABO3 ou ABO3. X). A solução precursora é obtida através de rota sintética específica, sendo depositada por processos de dip coating, spzn coa hing, deposição química por vapor (CVD) ou fisica (PVP), em temperaturas variando de 55°Ca 65°C, atmosfera inerte ou ambiente, seguido de anelamento (ou pirólise) a 155°C (FI) ou 350°C (FP). A presente metodologia requer temperaturas de deposição e anelamento mais baixas e processamento em atmosfera ambiente (1 atm), não requerendo equipamentos especiais para o controle de pressão, tais como bombas de vácuo e fluxo de gases, permitindo a deposição em substratos econômicos tais como vidros comerciais, plásticos, acrilicos, semi-condutores e metais. Formação de filmes finos (diâmetro de partícula em escala nanométrica) com aderéncia ao substrato, homogeneidade superficial dentro de padrões de qualidade e elevada constante dielétrica, podem ser utilizados como materiais dielétricos em capacitores, gravadores e leitores magneto-óticos (dispositivos de memória - RAM), sensores, moduladores de luz, detectores piroelétricos e chaves óticas, permitindo a miniaturização de equipamentos eletrônicos, tais como cân1eras digitais e telefones celulares. Filmes finos de titanato de bário com espessuras variando entre 10 e 240 nm, obtidos pela utilização da metodologia proposta por este invento, podem ser processados em plantas industriais, com viabilidade econômica maior comparativamente a métodos/processos existentes no mercado.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Retificação de publicação

#3.8

Referente à RPI 1971 de 14/10/2008, quanto ao item (54).

17/04/2018

RPI 2467

Indeferimento mantido em recurso

#9.2.4

MANTIDO O INDEFERIMENTO UMA VEZ QUE NÃO FOI APRESENTADO RECURSO DENTRO DO PRAZO LEGAL.

17/05/2016

RPI 2367

Indeferimento

#9.2

Indefiro o pedido de acordo com o(s) artigo(s) da LPI

05/01/2016

RPI 2348

Conhecimento de parecer técnico

#7.1

25/11/2014

RPI 2290

Publicação do pedido de patente

#3.1

14/10/2008

RPI 1971

Pedido de patente depositado

#2.1

14/08/2007

RPI 1910

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