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Dado oficial do INPI

PROCESSO PARA A PRODUÇÃO DE MONOSSILANO

Arquivada/ExtintaPatente de InvençãoPCT · EP2006063316

Dados do pedido

Número

PI0616443

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

19/06/2006

Publicação

21/06/2011

PCT

EP2006063316

Andamento no INPI

  1. Depósito19/06/06
  2. Publicação21/06/11
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 05/04/2016. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

EVONIK DEGUSSA GMBH

DE

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Inventores

A. P. (pessoa física)

DE

L. S. (pessoa física)

UA

P. A. (pessoa física)

DE

R. S. (pessoa física)

DE

Y. K. (pessoa física)

RU

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

DE

10 2005 046 105.0 · 27/09/2005

Resumo técnico

PROCESSO PARA A PRODUÇÃO DE MONOSSILANO. A presente invenção refere-se a uma instalação e a um processo para a produção contínua de monossilano e de tetraclorossilano através da dismutação catalítica do triclorossilano em uma temperatura de operação e a uma pressão a partir de 100 a 5000 KPa (1 a 50 bar) abs., em uma instalação de acordo com a reivindicação 1 na qual o triclorossilano (A) é preaquecido em um comutador de calor (7), e alimentado para o reator 10 de contra-corrente (1) que é provido com o catalisador (3), - a mistura do produto formada no reator de contracorrente (1) é pelo menos condensada por meio do condensador (5) em uma temperatura na faixa a partir de -25 até 50 C com o condensado fluindo de volta para o interior do reator de contracorrente (1), - a fase do produto que não é condensada no condensador (5) é passada 15 a unidade de condensação (8) que é operada em uma temperatura na faixa a partir de -40 até -110 C, - a fase volátil do produto a partir da unidade de condensação (8) é alimentada para a coluna de destilação (9) que é operada em uma temperatura na faixa a partir de -60 até -170 C e o monossilano (C) é descarregado no topo da coluna de destilação (9), 20 - os materiais de fundo que contêm o SiCI4 a partir do reator de contracorrente (1) são trazidos para uma temperatura na faixa a partir de 60 até 110 C na unidade de vaporização (6) e - o produto do fundo do vaporizador (6) é transportado através do comutador de calor (7) para o interior da parede dupla (2) do reator de contracorrente (1) e a corrente de produto que contém o SiCI4 (6) é descarregada em um nível na região superior do reator (1).

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo por descumprimento

#8.11

Em virtude do arquivamento publicado na RPI 2344 de 08-12-2015 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantido o arquivamento do pedido de patente, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.

05/04/2016

RPI 2361

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente às 8ª e 9ª anuidades.

08/12/2015

RPI 2344

Exigência - art. 36 da LPI

#6.1

30/06/2015

RPI 2321

Retificação da notificação da fase nacional - PCT

#1.3.1

Referente ao despacho publicado na RPI nº 2111 de 21/06/2011 quanto ao item (72).

03/04/2012

RPI 2152

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

21/06/2011

RPI 2111

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